图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 NTMFS4939N |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 1,500 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 30V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 9.3A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 5.5 mOhm @ 30A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 2.2V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 28.5nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 1954pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 920mW |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 8-TDFN Exposed Pad (5 Lead) |
| 供应商器件封装 | 6-DFN, 8-SO Flat Lead (5x6) |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 8SO-8 FL |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 最大连续漏极电流 | 26 A |
| RDS -于 | 5.5@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 12.7 ns |
| 典型上升时间 | 26 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 21.4 ns |
| 典型下降时间 | 4.5 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | DFN |
| 最低工作温度 | -55 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tape and Reel |
| 最大漏源电阻 | 5.5@10V |
| 最大漏源电压 | 30 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 供应商封装形式 | SO-FL |
| 最大功率耗散 | 7600 |
| 最大连续漏极电流 | 26 |
| 引脚数 | 8 |
| 铅形状 | Flat |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 9.3A (Ta), 53A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2.2V @ 250µA |
| 供应商设备封装 | 6-DFN, 8-SO Flat Lead (5x6) |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 5.5 mOhm @ 30A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 920mW |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 1954pF @ 15V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 28.5nC @ 10V |
| 封装/外壳 | 8-TDFN Exposed Pad (5 Lead) |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | NTMFS4939NT1GOSCT |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 连续漏极电流 | 15.7 A |
| 正向跨导 - 闵 | 34 S |
| RDS（ON） | 5.5 mOhms |
| 功率耗散 | 2.58 W |
| 封装/外壳 | SO-8 |
| 配置 | Single |
| 漏源击穿电压 | 30 V |
| 栅极电荷Qg | 28.5 nC |
| 漏极电流（最大值） | 26 A |
| 频率（最大） | Not Required MHz |
| 栅源电压（最大值） | �20 V |
| 输出功率（最大） | Not Required W |
| 噪声系数 | Not Required dB |
| 漏源导通电阻 | 0.0055 ohm |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏极效率 | Not Required % |
| 漏源导通电压 | 30 V |
| 功率增益 | Not Required dB |
| 弧度硬化 | No |
| 包装类型 | SO-8 FL |
| 系列 | NTMFS4939N |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 5.5 mOhms |
| 工厂包装数量 | 1500 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| Pd - Power Dissipation | 2.58 W |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.6 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| 通道数 | 1 Channel |
| Qg - Gate Charge | 28.5 nC |
| Id - Continuous Drain Current | 15.7 A |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| 技术 | Si |
| RoHS | RoHS Compliant |
NTMFS4939NT1G也可以通过以下分类找到
NTMFS4939NT1G相关搜索
咨询QQ
综合类：
热线电话
智能AI技术专家