图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 NTLJD3182FZ |
| 文档 |
Multiple Devices 21/Jan/2010 |
| 产品更改通知 | Product Obsolescence 21/Jan/2010 |
| 标准包装 | 3,000 |
| FET 型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Diode (绝缘的) |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 20V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 2.2A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 100 mOhm @ 2A, 4.5V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 1V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 7.8nC @ 4.5V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 450pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 710mW |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 6-WDFN Exposed Pad |
| 供应商器件封装 | 6-WDFN (2x2) |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| FET特点 | Diode (Isolated) |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 2.2A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 1V @ 250µA |
| 封装/外壳 | 6-WDFN Exposed Pad |
| 供应商设备封装 | 6-WDFN (2x2) |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 100 mOhm @ 2A, 4.5V |
| FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 710mW |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 20V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 450pF @ 10V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 7.8nC @ 4.5V |
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