图片仅供参考,产品以实物为准
#1 |
数量:32 |
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最小起订量:2 英国伦敦 当天发货，5-8个工作日送达. |
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#2 |
数量:1562 |
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最小起订量:1 美国加州 当天发货，1-3个工作日送达. |
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#3 |
数量:22780 |
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最小起订量:1 新加坡 当天发货，5-8个工作日送达. |
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| 规格书 |
 NTG3455T1 |
| 文档 |
NTGS34xx Copper Wire 08/Oct/2008 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 产品更改通知 | Wire Change 08/Oct/2008 |
| 标准包装 | 3,000 |
| FET 型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 30V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 2.5A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 100 mOhm @ 3.5A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 3V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 13nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 480pF @ 5V |
| 功率 - 最大 | 500mW |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | SC-74, SOT-457 |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 6TSOP |
| 渠道类型 | P |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 最大连续漏极电流 | 3.5 A |
| RDS -于 | 100@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 10 ns |
| 典型上升时间 | 15 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 20 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 产品种类 | MOSFET |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 漏源击穿电压 | - 30 V |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 3.5 A |
| 抗漏源极RDS （ ON） | 0.1 Ohms |
| 配置 | Single Quad Drain |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装/外壳 | TSOP |
| 封装 | Reel |
| 下降时间 | 10 ns |
| 正向跨导gFS （最大值/最小值） | 6 S |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 2 W |
| 上升时间 | 15 ns |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 包装宽度 | 1.5 |
| PCB | 6 |
| 最大功率耗散 | 2000 |
| 最大漏源电压 | 30 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大漏源电阻 | 100@10V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | TSOP |
| 标准包装名称 | TSOP |
| 最高工作温度 | 150 |
| 包装长度 | 3 |
| 引脚数 | 6 |
| 包装高度 | 0.94 |
| 最大连续漏极电流 | 3.5 |
| 铅形状 | Gull-wing |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 2.5A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 3V @ 250µA |
| 供应商设备封装 | 6-TSOP |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 100 mOhm @ 3.5A, 10V |
| FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 500mW |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 480pF @ 5V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 13nC @ 10V |
| 封装/外壳 | SC-74, SOT-457 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | NTGS3455T1GOSCT |
| 类别 | Power MOSFET |
| 外形尺寸 | 3 x 1.5 x 0.94mm |
| 身高 | 0.94mm |
| 长度 | 3mm |
| 最大漏源电阻 | 0.1 Ω |
| 最大功率耗散 | 2 W |
| 包装类型 | TSOP |
| 典型栅极电荷@ VGS | 9 nC V @ 10 |
| 典型输入电容@ VDS | 480 pF V @ 5 |
| 宽度 | 1.5mm |
| 正向跨导 - 闵 | 6 S |
| RDS（ON） | 100 mOhms |
| 漏极电流（最大值） | 3.5 A |
| 频率（最大） | Not Required MHz |
| 栅源电压（最大值） | �20 V |
| 输出功率（最大） | Not Required W |
| 噪声系数 | Not Required dB |
| 漏源导通电阻 | 0.1 ohm |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 极性 | P |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏极效率 | Not Required % |
| 漏源导通电压 | 30 V |
| 功率增益 | Not Required dB |
| 弧度硬化 | No |
| Continuous Drain Current Id | :3.5A |
| Drain Source Voltage Vds | :-30V |
| On Resistance Rds(on) | :100mohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :-10V |
| Threshold Voltage Vgs | :-1.87V |
| Weight (kg) | 0.002 |
| Tariff No. | 85412100 |
| Current,Drain | -3.5A |
| GateCharge,Total | 9nC |
| PackageType | TSOP-6 |
| 极化方式 | P-Channel |
| PowerDissipation | 0.5W |
| Resistance,DraintoSourceOn | 0.094Ohm |
| Temperature,Operating,Maximum | +150°C |
| Temperature,Operating,Minimum | -55°C |
| Time,Turn-OffDelay | 20ns |
| Time,Turn-OnDelay | 10ns |
| Transconductance,Forward | 6Mhos |
| Voltage,Breakdown,DraintoSource | -30V |
| Voltage,Forward,Diode | -0.9V |
| Voltage,GatetoSource | ±20V |
| associated | 80-4-5 |
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