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| 规格书 |
 NTD70N03R |
| 文档 |
Multiple Devices 09/Jan/2008 |
| 产品更改通知 | Product Discontinuation 09/Jan/2008 |
| 标准包装 | 75 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 25V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 10A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 8 mOhm @ 20A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 2V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 13.2nC @ 5V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 1333pF @ 20V |
| 功率 - 最大 | 1.36W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 包装材料 | Tube |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 10A (Ta), 32A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2V @ 250µA |
| 封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 供应商设备封装 | D-Pak |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 8 mOhm @ 20A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 1.36W |
| 标准包装 | 75 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 25V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 1333pF @ 20V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 13.2nC @ 5V |
| 漏源极电压 (Vdss) | 25V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1333pF @ 20V |
| 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） | 8 mOhm @ 20A, 10V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 13.2nC @ 5V |
| FET 功能 | Logic Level Gate |
| FET 类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 功率 - 最大值 | 1.36W |
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