NTD4806NA-35G

产品描述

MOSFET NFET IPAK 30V 76A 6mOhm

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规格书
文档	Multiple Devices 30/Sept/2011
Rohs	Lead free / RoHS Compliant
产品更改通知	Product Discontinuation 30/Sept/2011
标准包装	75
FET 型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点	Standard
漏极至源极电压（VDSS）	30V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C	11A
Rds（最大）@ ID，VGS	6 mOhm @ 30A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id	2.5V @ 250µA
栅极电荷（Qg）@ VGS	23nC @ 4.5V
输入电容（Ciss）@ Vds的	2142pF @ 12V
功率 - 最大	2.14W
安装类型	Through Hole
包/盒	TO-251-3 Stub Leads, IPak
供应商器件封装	I-Pak
包装材料	Tube
FET特点	Standard
封装	Tube
安装类型	Through Hole
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C	11.3A (Ta), 79A (Tc)
的Vgs（th ）（最大）@ Id	2.5V @ 250µA
封装/外壳	TO-251-3 Stub Leads, IPak
供应商设备封装	I-Pak
开态Rds（最大）@ Id ，V GS	6 mOhm @ 30A, 10V
FET型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大	2.14W
标准包装	75
漏极至源极电压（Vdss）	30V
输入电容（Ciss ） @ VDS	2142pF @ 12V
闸电荷（Qg ） @ VGS	23nC @ 4.5V
工厂包装数量	75
产品种类	MOSFET
晶体管极性	N-Channel
连续漏极电流	14 A
正向跨导 - 闵	14 S
安装风格	Through Hole
RDS（ON）	6 mOhms
功率耗散	2.14 W
漏源击穿电压	30 V
RoHS	RoHS Compliant

型号	厂家	产品描述
NTD4806NA-1G	ON Semiconductor	MOSFET NFET DPAK 30V 76A 6mOhm
NTD4806NA-1G	rochester electronics
NTD4806NAT4G	ON Semiconductor	MOSFET NFET DPAK 30V 76A 6MOHM
NTD4806N-1G	ON Semiconductor	MOSFET NFET 30V 76A 6MOHM
NTD4806N-1G	rochester electronics	NFET DPAK 30V 76A 6MOHM
NTD4806N-35G	on semiconductor	Trans MOSFET N-CH 30V 15.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail
NTD4806N-35H	on semiconductor	POWER MOSFET 30 V, 76 A,
NTD4806NT4G	on semiconductor	Trans MOSFET N-CH 30V 15.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
NTD4806NT4G	rochester electronics
NTD4806NT4H	on semiconductor	Power MOSFET 30 V, 76 A, Single N-Channel, DPAK/IPAK

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