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规格书 |
NTD4805N |
文档 |
Multiple Devices 21/Jan/2010 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
产品更改通知 | Product Obsolescence 21/Jan/2010 |
标准包装 | 75 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 30V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 12.6A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 5 mOhm @ 30A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 2.5V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 26nC @ 4.5V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 2865pf @ 12V |
功率 - 最大 | 1.35W |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
供应商器件封装 | I-Pak |
包装材料 | Tube |
FET特点 | Logic Level Gate |
封装 | Tube |
安装类型 | Through Hole |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 12.7A (Ta), 95A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 2.5V @ 250µA |
封装/外壳 | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
供应商设备封装 | I-Pak |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 5 mOhm @ 30A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 1.35W |
标准包装 | 75 |
漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 2865pF @ 12V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 26nC @ 4.5V |
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