图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 NTD18N06L |
| 文档 |
Multiple Devices 21/Jan/2010 |
| 产品更改通知 | Product Obsolescence 21/Jan/2010 |
| 标准包装 | 75 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 60V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 18A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 65 mOhm @ 9A, 5V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 2V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 22nC @ 5V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 675pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 55W |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 包装材料 | Tube |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 18A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2V @ 250µA |
| 封装/外壳 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| 供应商设备封装 | I-Pak |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 65 mOhm @ 9A, 5V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 55W |
| 标准包装 | 75 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 60V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 675pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 22nC @ 5V |
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