NTD15N06LT4

产品描述

Trans MOSFET N-CH 60V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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规格书	NTD15N06L
文档	Multiple Devices 31/Mar/2005
产品更改通知	Product Discontinuation 31/Mar/2005
标准包装	2,500
FET 型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点	Logic Level Gate
漏极至源极电压（VDSS）	60V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C	15A
Rds（最大）@ ID，VGS	100 mOhm @ 7.5A, 5V
VGS（TH）（最大）@ Id	2V @ 250µA
栅极电荷（Qg）@ VGS	20nC @ 5V
输入电容（Ciss）@ Vds的	440pF @ 25V
功率 - 最大	1.5W
安装类型	Surface Mount
包/盒	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装	DPAK-3
包装材料	Tape & Reel (TR);;其他的名称；
最大门源电压	±15
最大漏源电压	60
最高工作温度	175
通道模式	Enhancement
标准包装名称	DPAK
最低工作温度	-55
渠道类型	N
封装	Tape and Reel
最大漏源电阻	100@5V
每个芯片的元件数	1
供应商封装形式	DPAK
最大功率耗散	2100
最大连续漏极电流	15
引脚数	3
铅形状	Gull-wing
FET特点	Logic Level Gate
安装类型	Surface Mount
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C	15A (Ta)
的Vgs（th ）（最大）@ Id	2V @ 250µA
封装/外壳	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商设备封装	DPAK-3
其他名称	NTD15N06LT4OS
开态Rds（最大）@ Id ，V GS	100 mOhm @ 7.5A, 5V
FET型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大	1.5W
标准包装	2,500
漏极至源极电压（Vdss）	60V
输入电容（Ciss ） @ VDS	440pF @ 25V
闸电荷（Qg ） @ VGS	20nC @ 5V
RoHS指令	Contains lead / RoHS non-compliant

型号	厂家	产品描述
NTD15N06LT4G	rochester electronics
NTD15N06-001	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 15A IPAK
NTD15N06-001	rochester electronics
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NTD15N06L-001	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 60V 15A IPAK
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NTD15N06LG	ON Semiconductor	Trans MOSFET N-CH 60V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK Rail
NTD15N06LG	rochester electronics
NTD15N06T4	ON Semiconductor	Trans MOSFET N-CH 60V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
NTD15N06T4G	rochester electronics

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