#1 |
数量:0 |
|
最小起订量:1 美国费城 当天发货,5-8个工作日送达. |
|
规格书 |
NTB,NTP30N06L |
文档 |
Multiple Devices 11/Feb/2009 |
产品更改通知 | Product Obsolescence 11/Feb/2009 |
标准包装 | 800 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 60V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 30A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 46 mOhm @ 15A, 5V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 2V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 32nC @ 5V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 1150pF @ 25V |
功率 - 最大 | 88.2W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
供应商器件封装 | D2PAK |
包装材料 | Tape & Reel (TR);;其他的名称; |
FET特点 | Logic Level Gate |
封装 | Tape & Reel (TR) |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 30A (Ta) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 2V @ 250µA |
封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
供应商设备封装 | D2PAK |
其他名称 | NTB30N06LT4OS |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 46 mOhm @ 15A, 5V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 88.2W |
标准包装 | 800 |
漏极至源极电压(Vdss) | 60V |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 1150pF @ 25V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 32nC @ 5V |
NTB30N06LT4相关搜索