图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 NTA,NTE4153N |
| 文档 |
Multiple Devices 03/Jan/2008 |
| 产品更改通知 | LTB Notification 03/Jan/2008 |
| 标准包装 | 3,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate, 1.5V Drive |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 20V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 915mA |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 230 mOhm @ 600mA, 4.5V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 1.1V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 1.82nC @ 4.5V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 110pF @ 16V |
| 功率 - 最大 | 300mW |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | SC-75, SOT-416 |
| 供应商器件封装 | SC-75, SOT-416 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| FET特点 | Logic Level Gate, 1.5V Drive |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 915mA (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 1.1V @ 250µA |
| 封装/外壳 | SC-75, SOT-416 |
| 供应商设备封装 | SC-75, SOT-416 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 230 mOhm @ 600mA, 4.5V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 300mW |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 20V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 110pF @ 16V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 1.82nC @ 4.5V |
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