图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 N25S830HA |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 100 |
| 格式 - 记忆 | RAM |
| Memory 型 | SRAM |
| 内存大小 | 256K (32K x 8) |
| 速度 | 20MHz |
| 接口 | SPI Serial |
| - 电源电压 | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 操作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 包/盒 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
| 供应商器件封装 | 8-SOICN |
| 包装材料 | Tray |
| 包装 | 8SOIC N |
| 定时类型 | Synchronous |
| 密度 | 256 Kb |
| 数据速率架构 | SDR |
| 典型工作电源电压 | 3 V |
| 地址总线宽度 | 1 Bit |
| 每字位数 | 8 Bit |
| I / O线数 | 2 Bit |
| 端口数 | 1 |
| 字数 | 32 K |
| 工作温度 | -40 to 85 °C |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 安装 | Surface Mount |
| 包装宽度 | 4(Max) |
| PCB | 8 |
| 地址总线宽度 | 1 |
| 典型工作电源电压 | 3 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 密度 | 256K |
| 最低工作温度 | -40 |
| 供应商封装形式 | SOIC N |
| 标准包装名称 | SOIC |
| 最高工作温度 | 85 |
| 最大时钟频率 | 20 |
| 每字位数 | 8 |
| 包装长度 | 5(Max) |
| 最低工作电源电压 | 2.7 |
| 引脚数 | 8 |
| 最大工作电流 | 10 |
| 包装高度 | 1.5(Max) |
| Maximum Access Time | 25 |
| 封装 | Tube |
| 最大工作电源电压 | 3.6 |
| 铅形状 | Gull-wing |
| 格式 - 存储器 | RAM |
| 供应商设备封装 | 8-SOIC N |
| 内存类型 | SRAM |
| 存储容量 | 256K (32K x 8) |
| 电压 - 电源 | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 接口 | SPI Serial |
| 速度 | 20MHz |
| 其他名称 | 766-1043 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 组织 | 32 k x 8 |
| 最大工作电流 | 3 mA |
| 产品种类 | SRAM |
| 工厂包装数量 | 100 |
| 最高工作温度 | + 85 C |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 电源电压 - 最大 | 3.6 V |
| 访问时间 | 25 ns |
| 最低工作温度 | - 40 C |
| 封装/外壳 | SOIC-8 Narrow |
| 最大时钟频率 | 20 MHz |
| 电源电压 - 最小 | 2.7 V |
| 类型 | Synchronous |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 地址总线 | 1 b |
| 工作温度范围 | -40C to 85C |
| 包装类型 | SOIC N |
| 字长 | 8 b |
| 同步/异步 | Synchronous |
| 工作温度分类 | Industrial |
| 时钟频率（最大） | 20 MHz |
| 建筑 | SDR |
| 弧度硬化 | No |
| 工作电源电压（典型值） | 3 V |
| 工作电源电压（最小值） | 2.7 V |
| 工作电源电压（最大值） | 3.6 V |
| 访问时间（最大） | 25ns |
| 电源电流 | 10mA |
| 时钟频率 | 20 MHz |
| Memory Configuration | :32 x 8 |
| Supply Voltage Min | :2.7V |
| Supply Voltage Max | :3.6V |
| Memory Case Style | :SOIC |
| No. of Pins | :8 |
| Operating Temperature Min | :-40°C |
| 频率 | :16MHz |
| Weight (kg) | 0.001 |
| Tariff No. | 85411000 |
| associated | 9081 9082 AS-08-08-01S-3 |
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