1. MUN2137T1
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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

MUN2137T1 

产品描述

Transistors Switching - Resistor Biased 100mA 50V BRT PNP

内部编号

277-MUN2137T1

生产厂商

ON Semiconductor

onsemi

#1

数量:693000
1+¥0.3082
25+¥0.2311
100+¥0.2311
500+¥0.2311
1000+¥0.2311
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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MUN2137T1产品详细规格

规格书 MUN2137T1 datasheet 规格书
文档 Multiple Devices 03/Apr/2007
Rohs Contains lead / RoHS non-compliant
产品更改通知 Product Discontinuation 03/Apr/2007
标准包装 3,000
晶体管类型 PNP - Pre-Biased
- 集电极电流(Ic)(最大) 100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 50V
电阻 - 基地(R1)(欧姆) 47k
电阻器 - 发射基地(R2)(欧姆) 22k
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 80 @ 5mA, 10V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 250mV @ 300µA, 10mA
电流 - 集电极截止(最大) 500nA
频率转换 -
功率 - 最大 230mW
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装 SC-59
包装材料 Tape & Reel (TR)
供应商封装形式 SC-59
标准包装名称 SOT-23
最小直流电流增益 80@5mA@10V
最高工作温度 150
最低工作温度 -55
典型输入电阻 47
引脚数 3
封装 Tape and Reel
最大集电极发射极饱和电压 0.25@0.3mA@10mA
最大功率耗散 338
Maximum Continuous DC Collector Current 100
最大集电极发射极电压 50
配置 Single
类型 PNP
典型电阻器比率 2.1
电流 - 集电极( Ic)(最大) 100mA
晶体管类型 PNP - Pre-Biased
电阻器 - 基( R1 ) (欧姆) 47k
电流 - 集电极截止(最大) 500nA
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 250mV @ 300µA, 10mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 50V
供应商设备封装 SC-59
电阻器 - 发射极基( R 2 ) (欧姆) 22k
功率 - 最大 230mW
标准包装 3,000
封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
安装类型 Surface Mount
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 80 @ 5mA, 10V
其他名称 MUN2137T1OS
RoHS指令 Contains lead / RoHS non-compliant

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