MSD42WT1

产品描述

Transistors Bipolar - BJT 150mA 300V NPN

内部编号

生产厂商

数量:106333

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新加坡
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规格书	MSD42WT1,42T1
文档	Multiple Devices 30/Jun/2006
Rohs	Contains lead / RoHS non-compliant
产品更改通知	Discontinuation 30/Jun/2006
标准包装	3,000
晶体管类型	NPN
- 集电极电流（Ic）（最大）	150mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大）	300V
Vce饱和（最大）@ IB，IC	500mV @ 2mA, 20mA
电流 - 集电极截止（最大）	-
直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE	40 @ 30mA, 10V
功率 - 最大	150mW
频率转换	-
安装类型	Surface Mount
包/盒	SC-70, SOT-323
供应商器件封装	SC-70-3 (SOT323)
包装材料	Tape & Reel (TR)
电流 - 集电极（ Ic）（最大）	150mA
晶体管类型	NPN
安装类型	Surface Mount
下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件	500mV @ 2mA, 20mA
标准包装	3,000
电压 - 集电极发射极击穿（最大）	300V
供应商设备封装	SC-70-3 (SOT323)
封装	Tape & Reel (TR)
功率 - 最大	150mW
封装/外壳	SC-70, SOT-323
直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时	40 @ 30mA, 10V
不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）	500mV @ 2mA, 20mA
晶体管类型	NPN
不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）	40 @ 30mA, 10V
封装/外壳	SC-70, SOT-323
功率 - 最大值	150mW
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）	150mA
电压 - 集射极击穿（最大值）	300V

型号	厂家	产品描述
MSD42WT1G	on semiconductor	Trans GP BJT NPN 300V 0.15A 3-Pin SC-70 T/R
MSD42WT1G	rochester electronics
MSD42PM1P10	SOURIAU	INSERT
MSD42SWT1	ON Semiconductor	Transistors Bipolar - BJT 150mA 300V NPN
MSD42SWT1	rochester electronics
MSD42SWT1G	on semiconductor	Trans GP BJT NPN 300V 0.15A 3-Pin SC-70 T/R
MSD42SWT1G	rochester electronics
MSD42T1G	on semiconductor	Trans GP BJT NPN 300V 0.15A 3-Pin SC-59 T/R
MSD42T1G	rochester electronics	SS SC59 XSTR HV 300V TR

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