MSA1162YT1

产品描述

Transistors Bipolar - BJT 100mA 60V PNP

内部编号

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数量:24830

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新加坡
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规格书	MSA1162G,Y T1
文档	Multiple Devices 30/Jun/2006
Rohs	Contains lead / RoHS non-compliant
产品更改通知	Discontinuation 30/Jun/2006
标准包装	3,000
晶体管类型	PNP
- 集电极电流（Ic）（最大）	100mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大）	50V
Vce饱和（最大）@ IB，IC	500mV @ 10mA, 100mA
电流 - 集电极截止（最大）	100nA
直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE	120 @ 2mA, 6V
功率 - 最大	200mW
频率转换	80MHz
安装类型	Surface Mount
包/盒	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装	SC-59
包装材料	Tape & Reel (TR)
电流 - 集电极（ Ic）（最大）	100mA
晶体管类型	PNP
安装类型	Surface Mount
频率 - 转换	80MHz
下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件	500mV @ 10mA, 100mA
电流 - 集电极截止（最大）	100nA
标准包装	3,000
电压 - 集电极发射极击穿（最大）	50V
供应商设备封装	SC-59
封装	Tape & Reel (TR)
功率 - 最大	200mW
封装/外壳	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时	120 @ 2mA, 6V

型号	厂家	产品描述
MSA1162YT1G	ON Semiconductor	Transistors Bipolar - BJT 100mA 60V PNP
MSA1162YT1G	rochester electronics
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