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图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 MPS650-651, 750-751 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 2,000 |
| 晶体管类型 | PNP |
| - 集电极电流（Ic）（最大） | 2A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 60V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 500mV @ 200mA, 2A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | - |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 75 @ 1A, 2V |
| 功率 - 最大 | 625mW |
| 频率转换 | 75MHz |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 包装材料 | Tape & Box (TB) |
| 包装 | 3TO-92 |
| 类型 | PNP |
| 引脚数 | 3 |
| 最大集电极发射极电压 | 60 V |
| 集电极最大直流电流 | 2 A |
| 最小直流电流增益 | 75@50mA@2V|75@500mA@2V|75@1A@2V|40@2A@2V |
| 最大工作频率 | 75(Min) MHz |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 0.5@200mA@2A|0.3@100mA@1A V |
| 最大集电极基极电压 | 80 V |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 最大功率耗散 | 625 mW |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Ammo Pack |
| 集电极最大直流电流 | 2 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | TO-92 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 最大功率耗散 | 625 |
| 最大基地发射极电压 | 5 |
| Maximum Transition Frequency | 75(Min) |
| 封装 | Tape and Ammo |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 80 |
| 供应商封装形式 | TO-92 |
| 最大集电极发射极电压 | 60 |
| 铅形状 | Formed |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 2A |
| 晶体管类型 | PNP |
| 安装类型 | Through Hole |
| 频率 - 转换 | 75MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 500mV @ 200mA, 2A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 60V |
| 供应商设备封装 | TO-92-3 |
| 功率 - 最大 | 625mW |
| 封装/外壳 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 75 @ 1A, 2V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 0.5 V |
| 产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
| 晶体管极性 | PNP |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 5 V |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 75 at 50 mA at 2 V |
| 增益带宽产品fT | 75 MHz |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 60 V |
| 安装风格 | Through Hole |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 80 V |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 连续集电极电流 | 2 A |
| 频率 - 跃迁 | 75MHz |
| 不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） | 500mV @ 200mA, 2A |
| 晶体管类型 | PNP |
| 不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 75 @ 1A, 2V |
| 封装/外壳 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| 功率 - 最大值 | 625mW |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 2A |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 60V |
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