图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

MPF4392 

产品描述

JFET 30V 10mA

内部编号

277-MPF4392

生产厂商

ON Semiconductor

onsemi

#1

数量:6377
1+¥5.5427
25+¥4.9592
50+¥4.3758
100+¥3.8653
250+¥3.5006
500+¥3.136
1000+¥2.8443
最小起订量:1
美国纽约
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#2

数量:6377
1+¥6.0325
100+¥5.3975
250+¥4.7625
500+¥4.2069
1000+¥3.81
2500+¥3.4131
5000+¥3.0956
最小起订量:70
阿姆斯特丹
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#3

数量:0
最小起订量:1
美国费城
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

MPF4392产品详细规格

规格书 MPF4392 datasheet 规格书
MPF4392,93
文档 Multiple Devices 30/Jun/2006
Rohs Contains lead / RoHS non-compliant
产品更改通知 Discontinuation 30/Jun/2006
标准包装 1,000
电流 - 漏(IDSS),VDS(VGS = 0) 25mA @ 15V
漏极至源极电压(VDSS) 30V
漏电流(ID) - 最大 -
FET 型 N-Channel
- 击穿电压(V(BR)的GSS) 30V
- 截止电压(VGS的关闭)@ ID 2V @ 10nA
输入电容(Ciss)@ Vds的 10pF @ 15V (VGS)
电阻 - RDS(ON) 60 Ohm
安装类型 Through Hole
包装材料 Bulk
包/盒 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供应商器件封装 TO-92-3
功率 - 最大 350mW
封装 Bulk
电压 - 击穿( V(BR ) GSS ) 30V
安装类型 Through Hole
电流 - 漏极(Idss ) @ VDS ( VGS = 0 ) 25mA @ 15V
电阻 - RDS(ON) 60 Ohm
供应商设备封装 TO-92-3
电压 - 切断(VGS关)@ Id 2V @ 10nA
FET型 N-Channel
功率 - 最大 350mW
标准包装 1,000
封装/外壳 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
漏极至源极电压(Vdss) 30V
输入电容(Ciss ) @ VDS 10pF @ 15V (VGS)

MPF4392系列产品

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