图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 MMDF2N02E |
| 文档 |
Multiple Devices 03/Jan/2008 |
| Rohs | Contains lead / RoHS non-compliant |
| 产品更改通知 | LTB Notification 03/Jan/2008 |
| 标准包装 | 2,500 |
| FET 型 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 25V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 3.6A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 100 mOhm @ 2.2A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 3V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 30nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 532pF @ 16V |
| 功率 - 最大 | 2W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
| 供应商器件封装 | 8-SOICN |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 3.6A |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 3V @ 250µA |
| 供应商设备封装 | 8-SOIC N |
| 其他名称 | MMDF2N02ER2OS |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 100 mOhm @ 2.2A, 10V |
| FET型 | 2 N-Channel (Dual) |
| 功率 - 最大 | 2W |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 25V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 532pF @ 16V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 30nC @ 10V |
| 封装/外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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