图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 MMBT2369(A)LT1 |
| 文档 |
Copper Wire 08/Jun/2009 Multiple Devices 07/Jul/2010 |
| Rohs | Contains lead / RoHS non-compliant |
| 产品更改通知 | Wire Change 08/Jun/2009 |
| 标准包装 | 10 |
| 晶体管类型 | NPN |
| - 集电极电流（Ic）（最大） | 200mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 15V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 500mV @ 10mA, 100mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 400nA |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 20 @ 100mA, 1V |
| 功率 - 最大 | 225mW |
| 频率转换 | - |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 (TO-236) |
| 包装材料 | Cut Tape (CT) |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 200mA |
| 晶体管类型 | NPN |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 500mV @ 10mA, 100mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 400nA |
| 标准包装 | 10 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 15V |
| 供应商设备封装 | SOT-23-3 (TO-236) |
| 封装 | Cut Tape (CT) |
| 功率 - 最大 | 225mW |
| 封装/外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 20 @ 100mA, 1V |
| 其他名称 | MMBT2369ALT1OSCT |
| 不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） | 500mV @ 10mA, 100mA |
| 晶体管类型 | NPN |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 400nA |
| 不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 20 @ 100mA, 1V |
| 封装/外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 功率 - 最大值 | 225mW |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 200mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 15V |
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