1. MMBT2222ALT1
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厂商型号

MMBT2222ALT1 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT 600mA 75V NPN

内部编号

277-MMBT2222ALT1

生产厂商

ON Semiconductor

ONSEMI

订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

MMBT2222ALT1产品详细规格

规格书 MMBT2222ALT1 datasheet 规格书
MMBT2222(A)LT1 Datasheet
Rohs Contains lead / RoHS non-compliant
标准包装 10
晶体管类型 NPN
- 集电极电流(Ic)(最大) 600mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 40V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 1V @ 50mA, 500mA
电流 - 集电极截止(最大) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 100 @ 150mA, 10V
功率 - 最大 225mW
频率转换 300MHz
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装 SOT-23
包装材料 Cut Tape (CT)
电流 - 集电极( Ic)(最大) 600mA
晶体管类型 NPN
安装类型 Surface Mount
频率 - 转换 300MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 1V @ 50mA, 500mA
标准包装 10
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 40V
供应商设备封装 SOT-23
封装 Cut Tape (CT)
功率 - 最大 225mW
封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 100 @ 150mA, 10V
其他名称 MMBT2222ALT1OSCT
集电极电流( DC)(最大值) 0.6 A
集电极 - 基极电压 75 V
集电极 - 发射极电压 40 V
发射极 - 基极电压 6 V
频率(最大) 300 MHz
功率耗散 0.3 W
安装 Surface Mount
工作温度范围 -55C to 150C
包装类型 SOT-23
引脚数 3
元件数 1
工作温度分类 Military
弧度硬化 No
晶体管极性 NPN
频率 300 MHz
删除 Not Compliant
集电极电流(DC ) 0.6 A
直流电流增益 35

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