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厂商型号

MJH6287 

产品描述

Transistors Darlington 20A 100V Bipolar

内部编号

277-MJH6287

生产厂商

ON Semiconductor

ONSEMI

订购说明

质量保障

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MJH6287产品详细规格

规格书 MJH6287 datasheet 规格书
MJH6284/87
文档 Multiple Devices 19/Jun/2009
Rohs Contains lead / RoHS non-compliant
产品更改通知 Product Obsolescence 19/Jun/2009
标准包装 30
晶体管类型 PNP - Darlington
- 集电极电流(Ic)(最大) 20A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 100V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 3V @ 200mA, 20A
电流 - 集电极截止(最大) 1mA
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 750 @ 10A, 3V
功率 - 最大 160W
频率转换 4MHz
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-218-3
供应商器件封装 SOT-93
包装材料 Tube
最大的基射极饱和电压 4@200mA@20A
标准包装名称 TO-220
最小直流电流增益 100@20A@3V|750@10A@3V
最高工作温度 150
最大集电极发射极电压 100
最大基地发射极电压 5
封装 Rail
Maximum Continuous DC Collector Current 20
最大集电极发射极饱和电压 2@40mA@10A|3@200mA@20A
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 100
供应商封装形式 SOT-93
最低工作温度 -65
铅形状 Through Hole
类型 PNP
引脚数 3
最大功率耗散 160000
电流 - 集电极( Ic)(最大) 20A
晶体管类型 PNP - Darlington
安装类型 Through Hole
频率 - 转换 4MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 3V @ 200mA, 20A
电流 - 集电极截止(最大) 1mA
标准包装 30
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 100V
供应商设备封装 SOT-93
功率 - 最大 160W
封装/外壳 TO-218-3
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 750 @ 10A, 3V
其他名称 MJH6287OS
RoHS指令 Contains lead / RoHS non-compliant

MJH6287系列产品

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