规格书 |
![]() MJH6284/87 |
文档 |
Multiple Devices 19/Jun/2009 |
Rohs | Contains lead / RoHS non-compliant |
产品更改通知 | Product Obsolescence 19/Jun/2009 |
标准包装 | 30 |
晶体管类型 | PNP - Darlington |
- 集电极电流(Ic)(最大) | 20A |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 100V |
Vce饱和(最大)@ IB,IC | 3V @ 200mA, 20A |
电流 - 集电极截止(最大) | 1mA |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE | 750 @ 10A, 3V |
功率 - 最大 | 160W |
频率转换 | 4MHz |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-218-3 |
供应商器件封装 | SOT-93 |
包装材料 | Tube |
最大的基射极饱和电压 | 4@200mA@20A |
标准包装名称 | TO-220 |
最小直流电流增益 | 100@20A@3V|750@10A@3V |
最高工作温度 | 150 |
最大集电极发射极电压 | 100 |
最大基地发射极电压 | 5 |
封装 | Rail |
Maximum Continuous DC Collector Current | 20 |
最大集电极发射极饱和电压 | 2@40mA@10A|3@200mA@20A |
每个芯片的元件数 | 1 |
最大集电极基极电压 | 100 |
供应商封装形式 | SOT-93 |
最低工作温度 | -65 |
铅形状 | Through Hole |
类型 | PNP |
引脚数 | 3 |
最大功率耗散 | 160000 |
电流 - 集电极( Ic)(最大) | 20A |
晶体管类型 | PNP - Darlington |
安装类型 | Through Hole |
频率 - 转换 | 4MHz |
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 | 3V @ 200mA, 20A |
电流 - 集电极截止(最大) | 1mA |
标准包装 | 30 |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 100V |
供应商设备封装 | SOT-93 |
功率 - 最大 | 160W |
封装/外壳 | TO-218-3 |
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 | 750 @ 10A, 3V |
其他名称 | MJH6287OS |
RoHS指令 | Contains lead / RoHS non-compliant |
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