规格书 |
![]() ![]() MJD243,253 ![]() |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 75 |
晶体管类型 | PNP |
- 集电极电流(Ic)(最大) | 4A |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 100V |
Vce饱和(最大)@ IB,IC | 600mV @ 100mA, 1A |
电流 - 集电极截止(最大) | - |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE | 40 @ 200mA, 1V |
功率 - 最大 | 1.4W |
频率转换 | 40MHz |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
供应商器件封装 | I-Pak |
包装材料 | Tube |
包装 | 3IPAK |
类型 | PNP |
引脚数 | 3 |
最大集电极发射极电压 | 100 V |
集电极最大直流电流 | 4 A |
最小直流电流增益 | 40@200mA@1V|15@1A@1V |
最大工作频率 | 40(Min) MHz |
最大集电极发射极饱和电压 | 0.3@50mA@500mA|0.6@100mA@1A V |
工作温度 | -65 to 150 °C |
最大功率耗散 | 1400 mW |
安装 | Through Hole |
标准包装 | Rail / Tube |
集电极最大直流电流 | 4 |
最低工作温度 | -65 |
Maximum Transition Frequency | 40(Min) |
包装宽度 | 2.38(Max) |
PCB | 3 |
最大功率耗散 | 1400 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
每个芯片的元件数 | 1 |
最大集电极基极电压 | 100 |
最大集电极发射极电压 | 100 |
供应商封装形式 | IPAK |
最高工作温度 | 150 |
包装长度 | 6.73(Max) |
包装高度 | 6.35(Max) |
最大基地发射极电压 | 7 |
封装 | Rail |
标签 | Tab |
铅形状 | Through Hole |
电流 - 集电极( Ic)(最大) | 4A |
晶体管类型 | PNP |
安装类型 | Through Hole |
频率 - 转换 | 40MHz |
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 | 600mV @ 100mA, 1A |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 100V |
供应商设备封装 | I-Pak |
功率 - 最大 | 1.4W |
封装/外壳 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 | 40 @ 200mA, 1V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
工厂包装数量 | 75 |
集电极 - 发射极饱和电压 | 0.6 V |
产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
晶体管极性 | PNP |
发射极 - 基极电压VEBO | 7 V |
直流集电极/增益hfe最小值 | 40 at 200 mA at 1 V |
增益带宽产品fT | 40 MHz |
集电极 - 发射极最大电压VCEO | 100 V |
安装风格 | SMD/SMT |
集电极 - 基极电压VCBO | 100 V |
最低工作温度 | - 65 C |
配置 | Single |
最高工作温度 | + 150 C |
RoHS | RoHS Compliant |
连续集电极电流 | 4 A |
Collector Emitter Voltage V(br)ceo | :100V |
Transition Frequency ft | :40MHz |
功耗 | :12.5W |
DC Collector Current | :-4A |
DC Current Gain hFE | :40 |
No. of Pins | :3 |
Weight (kg) | 0 |
Tariff No. | 85412900 |
associated | 80-4-5 |
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