图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 MJD200, MJD210 |
| 文档 |
Qualification Multiple Devices 24/Sep/2013 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 75 |
| 晶体管类型 | PNP |
| - 集电极电流（Ic）（最大） | 5A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 25V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 1.8V @ 1A, 5A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | - |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 45 @ 2A, 1V |
| 功率 - 最大 | 1.4W |
| 频率转换 | 65MHz |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 供应商器件封装 | DPAK-3 |
| 包装材料 | Tube |
| 包装 | 3DPAK |
| 类型 | PNP |
| 引脚数 | 3 |
| 最大集电极发射极电压 | 25 V |
| 集电极最大直流电流 | 5 A |
| 最小直流电流增益 | 70@500mA@1V|45@2A@1V|10@5A@2V |
| 最大工作频率 | 65(Min) MHz |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 0.3@50mA@500mA|0.75@200mA@2A|1.8@1A@5A V |
| 最大集电极基极电压 | 40 V |
| 工作温度 | -65 to 150 °C |
| 最大功率耗散 | 1400 mW |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 集电极最大直流电流 | 5 |
| Maximum Transition Frequency | 65(Min) |
| 包装宽度 | 6.22(Max) |
| PCB | 2 |
| 最大功率耗散 | 1400 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 40 |
| 最低工作温度 | -65 |
| 供应商封装形式 | DPAK |
| 标准包装名称 | DPAK |
| 最高工作温度 | 150 |
| 包装长度 | 6.73(Max) |
| 最大集电极发射极电压 | 25 |
| 包装高度 | 2.38(Max) |
| 最大基地发射极电压 | 8 |
| 封装 | Rail |
| 标签 | Tab |
| 铅形状 | Gull-wing |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 5A |
| 晶体管类型 | PNP |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 频率 - 转换 | 65MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 1.8V @ 1A, 5A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 25V |
| 供应商设备封装 | DPAK-3 |
| 功率 - 最大 | 1.4W |
| 封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 45 @ 2A, 1V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 75 |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 1.8 V |
| 产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
| 晶体管极性 | PNP |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 8 V |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 70 at 500 mA at 1 V |
| 增益带宽产品fT | 65 MHz |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 25 V |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 40 V |
| 最低工作温度 | - 65 C |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 连续集电极电流 | 5 A |
| 集电极电流（ DC）（最大值） | 5 A |
| 集电极 - 基极电压 | 40 V |
| 集电极 - 发射极电压 | 25 V |
| 发射极 - 基极电压 | 8 V |
| 频率（最大） | 65 MHz |
| 功率耗散 | 1.4 W |
| 工作温度范围 | -65C to 150C |
| 包装类型 | DPAK |
| 元件数 | 1 |
| 直流电流增益（最小值） | 70 |
| 工作温度分类 | Military |
| 弧度硬化 | No |
| 频率 | 65 MHz |
| 集电极电流（DC ） | 5 A |
| 直流电流增益 | 70 |
| Current,Collector | 5A |
| Current,Gain | 10 |
| PackageType | DPAK |
| 极性 | PNP |
| PowerDissipation | 12.5W |
| PrimaryType | Si |
| Resistance,Thermal,JunctiontoCase | 10°C/W |
| Voltage,Breakdown,CollectortoEmitter | 25V |
| Voltage,CollectortoBase | 40V |
| Voltage,CollectortoEmitter | 25V |
| Voltage,CollectortoEmitter,Saturation | 1.8V |
| Voltage,EmittertoBase | 8V |
| 频率 - 跃迁 | 65MHz |
| 不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） | 1.8V @ 1A, 5A |
| 晶体管类型 | PNP |
| 不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 45 @ 2A, 1V |
| 封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 功率 - 最大值 | 1.4W |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 5A |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 25V |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 长度 | 6.73 mm |
| 系列 | MJD210 |
| 身高 | 2.38 mm |
| Pd - Power Dissipation | 12.5 W |
| associated | RE901 FK 244 13 D PAK FK 244 08 D PAK MJD210G |
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