图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 MJ11021,22 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 100 |
| 晶体管类型 | NPN - Darlington |
| - 集电极电流（Ic）（最大） | 15A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 250V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 3.4V @ 150mA, 15A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 1mA |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 400 @ 10A, 5V |
| 功率 - 最大 | 175W |
| 频率转换 | - |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-204AA, TO-3 |
| 供应商器件封装 | TO-3 |
| 包装材料 | Tray |
| 包装 | 3TO-204 |
| 配置 | Single |
| 类型 | NPN |
| 最大集电极发射极电压 | 250 V |
| 峰值直流集电极电流 | 15 A |
| 最小直流电流增益 | 100@15A@5V |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 2@100mA@10A|3.4@150mA@15A V |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Trays |
| 最大的基射极饱和电压 | 3.8@150mA@15A |
| 标准包装名称 | TO-3 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 175 |
| 最大集电极发射极电压 | 250 |
| 最大基地发射极电压 | 50 |
| 封装 | Tray |
| Maximum Continuous DC Collector Current | 15 |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 2@100mA@10A|3.4@150mA@15A |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 250 |
| 供应商封装形式 | TO-204 |
| 最低工作温度 | -65 |
| 铅形状 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 |
| 最大功率耗散 | 175000 |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 15A |
| 晶体管类型 | NPN - Darlington |
| 安装类型 | Through Hole |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 3.4V @ 150mA, 15A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 1mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 250V |
| 供应商设备封装 | TO-3 |
| 功率 - 最大 | 175W |
| 封装/外壳 | TO-204AA, TO-3 |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 400 @ 10A, 5V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 100 |
| 产品种类 | Transistors Darlington |
| 晶体管极性 | NPN |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 50 V |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 100 |
| 集电极最大直流电流 | 15 A |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 250 V |
| 安装风格 | Through Hole |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 250 V |
| 最低工作温度 | - 65 C |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 系列 | MJ11022 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 身高 | 8.51 mm |
| 长度 | 39.37 mm |
| associated | FK 201SA-3 |
MJ11022G也可以通过以下分类找到
MJ11022G相关搜索
咨询QQ
综合类：
热线电话
智能AI技术专家