1. BFR30LT1
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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

BFR30LT1 

产品描述

Transistors RF JFET 25V 10mA

内部编号

277-BFR30LT1

生产厂商

ON Semiconductor

onsemi

#1

数量:0
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美国费城
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BFR30LT1产品详细规格

规格书 BFR30LT1 datasheet 规格书
BFR30,31LT1
文档 Multiple Devices 30/Jun/2006
Rohs Contains lead / RoHS non-compliant
产品更改通知 Discontinuation 30/Jun/2006
标准包装 3,000
电流 - 漏(IDSS),VDS(VGS = 0) 4mA @ 10V
漏极至源极电压(VDSS) 25V
漏电流(ID) - 最大 -
FET 型 N-Channel
- 击穿电压(V(BR)的GSS) -
- 截止电压(VGS的关闭)@ ID 5V @ 0.5nA
输入电容(Ciss)@ Vds的 5pF @ 10V
电阻 - RDS(ON) -
安装类型 Surface Mount
包装材料 Tape & Reel (TR)
包/盒 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装 SOT-23-3 (TO-236)
功率 - 最大 225mW
封装 Tape & Reel (TR)
安装类型 Surface Mount
电流 - 漏极(Idss ) @ VDS ( VGS = 0 ) 4mA @ 10V
供应商设备封装 SOT-23-3 (TO-236)
电压 - 切断(VGS关)@ Id 5V @ 0.5nA
FET型 N-Channel
功率 - 最大 225mW
标准包装 3,000
封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
漏极至源极电压(Vdss) 25V
输入电容(Ciss ) @ VDS 5pF @ 10V

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