BFR30LT1

产品描述

Transistors RF JFET 25V 10mA

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规格书	BFR30,31LT1
文档	Multiple Devices 30/Jun/2006
Rohs	Contains lead / RoHS non-compliant
产品更改通知	Discontinuation 30/Jun/2006
标准包装	3,000
电流 - 漏（IDSS），VDS（VGS = 0）	4mA @ 10V
漏极至源极电压（VDSS）	25V
漏电流（ID） - 最大	-
FET 型	N-Channel
- 击穿电压（V（BR）的GSS）	-
- 截止电压（VGS的关闭）@ ID	5V @ 0.5nA
输入电容（Ciss）@ Vds的	5pF @ 10V
电阻 - RDS（ON）	-
安装类型	Surface Mount
包装材料	Tape & Reel (TR)
包/盒	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装	SOT-23-3 (TO-236)
功率 - 最大	225mW
封装	Tape & Reel (TR)
安装类型	Surface Mount
电流 - 漏极（Idss ） @ VDS （ VGS = 0 ）	4mA @ 10V
供应商设备封装	SOT-23-3 (TO-236)
电压 - 切断（VGS关）@ Id	5V @ 0.5nA
FET型	N-Channel
功率 - 最大	225mW
标准包装	3,000
封装/外壳	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
漏极至源极电压（Vdss）	25V
输入电容（Ciss ） @ VDS	5pF @ 10V

型号	厂家	产品描述
BFR30LT1G	ON Semiconductor	Transistors RF JFET 25V 10mA
BFR30 T/R	NXP Semiconductors	Transistors RF Bipolar Small Signal N-CH 25V 10mA
BFR30,215	nxp semiconductors	Trans JFET N-CH 25V 10mA 3-Pin TO-236AB T/R
BFR30,235	nxp semiconductors	Trans JFET N-CH 25V 10mA 3-Pin TO-236AB T/R

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