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厂商型号

BD440 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT 4A 60V 36W PNP

内部编号

277-BD440

生产厂商

ON Semiconductor

onsemi

#1

数量:10
1+¥40.7924
10+¥38.8366
25+¥36.8948
50+¥35.9239
100+¥34.9529
250+¥33.0111
500+¥31.0693
1000+¥28.1565
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BD440产品详细规格

规格书 BD440 datasheet 规格书
BD436,438,440,442
文档 Multiple Devices 30/Jun/2006
Rohs Contains lead / RoHS non-compliant
产品更改通知 Discontinuation 30/Jun/2006
标准包装 500
晶体管类型 PNP
- 集电极电流(Ic)(最大) 4A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 60V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 800mV @ 300mA, 3A
电流 - 集电极截止(最大) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 40 @ 500mA, 1V
功率 - 最大 36W
频率转换 3MHz
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-225AA, TO-126-3
供应商器件封装 TO225AA
包装材料 Bulk
集电极最大直流电流 4
最小直流电流增益 20@10mA@5V|40@500mA@1V|25@2A@1V
最高工作温度 150
最低工作温度 -55
最大功率耗散 36000
最大基地发射极电压 5
Maximum Transition Frequency 3(Min)
封装 Box
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 60
供应商封装形式 TO-225
最大集电极发射极电压 60
类型 PNP
引脚数 3
电流 - 集电极( Ic)(最大) 4A
晶体管类型 PNP
安装类型 Through Hole
频率 - 转换 3MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 800mV @ 300mA, 3A
标准包装 500
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 60V
供应商设备封装 TO225AA
功率 - 最大 36W
封装/外壳 TO-225AA, TO-126-3
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 40 @ 500mA, 1V
RoHS指令 Contains lead / RoHS non-compliant

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