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数量:10 |
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规格书 |
BD436,438,440,442 |
文档 |
Multiple Devices 30/Jun/2006 |
Rohs | Contains lead / RoHS non-compliant |
产品更改通知 | Discontinuation 30/Jun/2006 |
标准包装 | 500 |
晶体管类型 | PNP |
- 集电极电流(Ic)(最大) | 4A |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 60V |
Vce饱和(最大)@ IB,IC | 800mV @ 300mA, 3A |
电流 - 集电极截止(最大) | - |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE | 40 @ 500mA, 1V |
功率 - 最大 | 36W |
频率转换 | 3MHz |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-225AA, TO-126-3 |
供应商器件封装 | TO225AA |
包装材料 | Bulk |
集电极最大直流电流 | 4 |
最小直流电流增益 | 20@10mA@5V|40@500mA@1V|25@2A@1V |
最高工作温度 | 150 |
最低工作温度 | -55 |
最大功率耗散 | 36000 |
最大基地发射极电压 | 5 |
Maximum Transition Frequency | 3(Min) |
封装 | Box |
每个芯片的元件数 | 1 |
最大集电极基极电压 | 60 |
供应商封装形式 | TO-225 |
最大集电极发射极电压 | 60 |
类型 | PNP |
引脚数 | 3 |
电流 - 集电极( Ic)(最大) | 4A |
晶体管类型 | PNP |
安装类型 | Through Hole |
频率 - 转换 | 3MHz |
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 | 800mV @ 300mA, 3A |
标准包装 | 500 |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 60V |
供应商设备封装 | TO225AA |
功率 - 最大 | 36W |
封装/外壳 | TO-225AA, TO-126-3 |
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 | 40 @ 500mA, 1V |
RoHS指令 | Contains lead / RoHS non-compliant |
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