规格书 |
|
Rohs |
Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 |
5,000 |
晶体管类型 |
PNP |
- 集电极电流(Ic)(最大) |
1A |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) |
80V |
Vce饱和(最大)@ IB,IC |
500mV @ 100mA, 1A |
电流 - 集电极截止(最大) |
- |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE |
60 @ 100mA, 2V |
功率 - 最大 |
625mW |
频率转换 |
150MHz |
安装类型
|
Through Hole |
包/盒
|
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
供应商器件封装 |
TO-92-3 |
包装材料
|
Bulk |
包装 |
3TO-92 |
类型 |
PNP |
引脚数 |
3 |
最大集电极发射极电压 |
80 V |
集电极最大直流电流 |
1 A |
最小直流电流增益 |
40@10mA@2V|60@100mA@2V |
最大工作频率 |
150(Typ) MHz |
最大集电极发射极饱和电压 |
0.5@50mA@500mA|0.5(Typ)@100mA@1A V |
工作温度 |
-55 to 150 °C |
最大功率耗散 |
625 mW |
安装 |
Through Hole |
标准包装 |
Bulk |
标准包装 |
Boxed |
集电极最大直流电流 |
1 |
欧盟RoHS指令 |
Compliant |
最高工作温度 |
150 |
标准包装名称 |
TO-92 |
最低工作温度 |
-55 |
最大功率耗散 |
625 |
最大基地发射极电压 |
4 |
Maximum Transition Frequency |
150(Typ) |
封装 |
Bulk |
每个芯片的元件数 |
1 |
最大集电极基极电压 |
80 |
供应商封装形式 |
TO-92 |
最大集电极发射极电压 |
80 |
铅形状 |
Through Hole |
电流 - 集电极( Ic)(最大) |
1A |
晶体管类型 |
PNP |
安装类型 |
Through Hole |
频率 - 转换 |
150MHz |
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 |
500mV @ 100mA, 1A |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) |
80V |
供应商设备封装 |
TO-92-3 |
功率 - 最大 |
625mW |
封装/外壳 |
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 |
60 @ 100mA, 2V |
RoHS指令 |
Lead free / RoHS Compliant |
工厂包装数量 |
5000 |
集电极 - 发射极饱和电压 |
- 0.5 V |
产品种类 |
Transistors Bipolar - BJT |
晶体管极性 |
PNP |
发射极 - 基极电压VEBO |
4 V |
直流集电极/增益hfe最小值 |
40 at 10 mA at 2 V |
增益带宽产品fT |
150 MHz |
集电极 - 发射极最大电压VCEO |
- 80 V |
安装风格 |
Through Hole |
集电极 - 基极电压VCBO |
- 80 V |
最低工作温度 |
- 55 C |
配置 |
Single |
最高工作温度 |
+ 150 C |
RoHS |
RoHS Compliant |
连续集电极电流 |
- 1 A |
集电极电流( DC)(最大值) |
1 A |
集电极 - 基极电压 |
80 V |
集电极 - 发射极电压 |
80 V |
发射极 - 基极电压 |
4 V |
频率 |
150 MHz |
功率耗散 |
0.625 W |
工作温度范围 |
-55C to 150C |
包装类型 |
TO-92 |
元件数 |
1 |
直流电流增益(最小值) |
40 |
工作温度分类 |
Military |
弧度硬化 |
No |
集电极电流(DC ) |
1 A |
直流电流增益 |
40 |
频率 - 跃迁 |
150MHz |
不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) |
500mV @ 100mA, 1A |
晶体管类型 |
PNP |
不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值) |
60 @ 100mA, 2V |
封装/外壳 |
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
功率 - 最大值 |
625mW |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) |
1A |
电压 - 集射极击穿(最大值) |
80V |