图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

BC369 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT 1A 25V PNP

内部编号

277-BC369

生产厂商

ON Semiconductor

onsemi

#1

数量:125000
1+¥0.6934
25+¥0.6164
100+¥0.6164
500+¥0.6164
1000+¥0.5394
最小起订金额:¥₩600
新加坡
当天发货,5-8个工作日送达.
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#2

数量:125000
1+¥0.6934
25+¥0.6164
100+¥0.6164
500+¥0.6164
1000+¥0.5394
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新加坡
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

BC369产品详细规格

文档 Multiple Devices 30/Jun/2006
Rohs Contains lead / RoHS non-compliant
产品更改通知 Discontinuation 30/Jun/2006
标准包装 5,000
晶体管类型 PNP
- 集电极电流(Ic)(最大) 1A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 20V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 500mV @ 100mA, 1A
电流 - 集电极截止(最大) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 85 @ 500mA, 1V
功率 - 最大 625mW
频率转换 65MHz
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供应商器件封装 TO-92-3
包装材料 Bulk
集电极最大直流电流 1
最小直流电流增益 50@5mA@10V|85@500mA@1V|60@1A@1V
最高工作温度 150
标准包装名称 TO-92
最低工作温度 -55
最大功率耗散 625
最大基地发射极电压 5
Maximum Transition Frequency 65(Min)
封装 Bulk
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 25
供应商封装形式 TO-92
最大集电极发射极电压 20
类型 PNP
引脚数 3
铅形状 Through Hole
电流 - 集电极( Ic)(最大) 1A
晶体管类型 PNP
安装类型 Through Hole
频率 - 转换 65MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 500mV @ 100mA, 1A
标准包装 5,000
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 20V
供应商设备封装 TO-92-3
功率 - 最大 625mW
封装/外壳 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 85 @ 500mA, 1V
其他名称 BC369OS
RoHS指令 Contains lead / RoHS non-compliant

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