文档 |
Multiple Devices 30/Jun/2006
|
Rohs |
Contains lead / RoHS non-compliant |
产品更改通知 |
Discontinuation 30/Jun/2006 |
标准包装 |
5,000 |
晶体管类型 |
PNP |
- 集电极电流(Ic)(最大) |
1A |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) |
20V |
Vce饱和(最大)@ IB,IC |
500mV @ 100mA, 1A |
电流 - 集电极截止(最大) |
- |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE |
85 @ 500mA, 1V |
功率 - 最大 |
625mW |
频率转换 |
65MHz |
安装类型
|
Through Hole |
包/盒
|
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
供应商器件封装 |
TO-92-3 |
包装材料
|
Bulk |
集电极最大直流电流 |
1 |
最小直流电流增益 |
50@5mA@10V|85@500mA@1V|60@1A@1V |
最高工作温度 |
150 |
标准包装名称 |
TO-92 |
最低工作温度 |
-55 |
最大功率耗散 |
625 |
最大基地发射极电压 |
5 |
Maximum Transition Frequency |
65(Min) |
封装 |
Bulk |
每个芯片的元件数 |
1 |
最大集电极基极电压 |
25 |
供应商封装形式 |
TO-92 |
最大集电极发射极电压 |
20 |
类型 |
PNP |
引脚数 |
3 |
铅形状 |
Through Hole |
电流 - 集电极( Ic)(最大) |
1A |
晶体管类型 |
PNP |
安装类型 |
Through Hole |
频率 - 转换 |
65MHz |
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 |
500mV @ 100mA, 1A |
标准包装 |
5,000 |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) |
20V |
供应商设备封装 |
TO-92-3 |
功率 - 最大 |
625mW |
封装/外壳 |
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 |
85 @ 500mA, 1V |
其他名称 |
BC369OS |
RoHS指令 |
Contains lead / RoHS non-compliant |