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厂商型号

BC307BG 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT 100mA 50V PNP

内部编号

277-BC307BG

生产厂商

ON Semiconductor

onsemi

#1

数量:16950
1+¥0.3852
25+¥0.3852
100+¥0.3852
500+¥0.3852
1000+¥0.3082
最小起订金额:¥₩600
新加坡
当天发货,5-8个工作日送达.
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#2

数量:16950
1+¥0.3852
25+¥0.3852
100+¥0.3852
500+¥0.3852
1000+¥0.3082
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

BC307BG产品详细规格

文档 Multiple Devices 02/Jan/2007
Rohs Lead free / RoHS Compliant
产品更改通知 Product Discontinuation 02/Jan/2007
标准包装 5,000
晶体管类型 PNP
- 集电极电流(Ic)(最大) 100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 45V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 250mV @ 5mA, 100mA
电流 - 集电极截止(最大) 15nA
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 200 @ 2mA, 5V
功率 - 最大 350mW
频率转换 280MHz
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供应商器件封装 TO-92-3
包装材料 Bulk
集电极最大直流电流 0.1
最小直流电流增益 200@2mA@5V
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 TO-92
最低工作温度 -55
最大功率耗散 350
最大基地发射极电压 5
Maximum Transition Frequency 280(Typ)
封装 Bulk
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 50
供应商封装形式 TO-92
最大集电极发射极电压 45
类型 PNP
引脚数 3
铅形状 Through Hole
电流 - 集电极( Ic)(最大) 100mA
晶体管类型 PNP
安装类型 Through Hole
频率 - 转换 280MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 250mV @ 5mA, 100mA
电流 - 集电极截止(最大) 15nA
标准包装 5,000
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 45V
供应商设备封装 TO-92-3
功率 - 最大 350mW
封装/外壳 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 200 @ 2mA, 5V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

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