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厂商型号

2SK3748 

产品描述

MOSFET HIGH-VOLTAGE POWER MOSFET

内部编号

277-2SK3748

生产厂商

ON Semiconductor

onsemi

#1

数量:1190
1+¥64.2597
25+¥59.7137
100+¥57.2481
500+¥55.0137
1000+¥52.2399
最小起订金额:¥₩600
新加坡
当天发货,5-8个工作日送达.
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#2

数量:1190
1+¥64.2597
25+¥59.7137
100+¥57.2481
500+¥55.0137
1000+¥52.2399
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#3

数量:0
最小起订量:1
美国费城
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

2SK3748产品详细规格

规格书 2SK3748 datasheet 规格书
2SK3748
标准包装 100
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 1500V (1.5kV)
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 4A
Rds(最大)@ ID,VGS 7 Ohm @ 2A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id -
栅极电荷(Qg)@ VGS 80nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 790pF @ 30V
功率 - 最大 3W
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-3P-3 Full Pack
供应商器件封装 TO-3PML
包装材料 Tray
最大门源电压 ±20
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
包装宽度 5.6
通道模式 Enhancement
最低工作温度 -55
包装高度 14
安装 Through Hole
最大功率耗散 3000
渠道类型 N
最大漏源电阻 7000@10V
最大漏源电压 1500
每个芯片的元件数 1
标签 Tab
供应商封装形式 TO-3PML
包装长度 16
PCB 3
最大连续漏极电流 4
引脚数 3
FET特点 Standard
封装 Tray
安装类型 Through Hole
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 4A (Ta)
封装/外壳 TO-3P-3 Full Pack
供应商设备封装 TO-3PML
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 7 Ohm @ 2A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 3W
标准包装 100
漏极至源极电压(Vdss) 1500V (1.5kV)
输入电容(Ciss ) @ VDS 790pF @ 30V
闸电荷(Qg ) @ VGS 80nC @ 10V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

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