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数量:1400 |
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规格书 |
2SB1215/2SD1815 |
标准包装 | 700 |
晶体管类型 | NPN |
集电极电流(Ic)(最大) | 3A |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 100V |
Vce饱和(最大)@ IB,IC | 400mV @ 150mA, 1.5A |
电流 - 集电极截止(最大) | - |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE | 140 @ 500mA, 5V |
功率 - 最大 | 1W |
频率转换 | 180MHz |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
供应商器件封装 | TP-FA |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
电流 - 集电极( Ic)(最大) | 3A |
晶体管类型 | NPN |
安装类型 | Surface Mount |
频率 - 转换 | 180MHz |
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 | 400mV @ 150mA, 1.5A |
标准包装 | 700 |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 100V |
供应商设备封装 | TP-FA |
封装 | Tape & Reel (TR) |
功率 - 最大 | 1W |
封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 | 140 @ 500mA, 5V |
晶体管极性 | NPN/PNP |
发射极 - 基极电压VEBO | 6 V |
最大功率耗散 | 1 W |
直流集电极/增益hfe最小值 | 70 mA |
集电极 - 发射极最大电压VCEO | 100 V |
安装风格 | Through Hole |
RoHS | RoHS Compliant |
连续集电极电流 | 3 A |
工厂包装数量 | 700 |
系列 | 2SD1815 |
Pd - Power Dissipation | 1 W |
品牌 | ON Semiconductor |
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