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厂商型号

2SC4081RT1G 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT 100mA 60V NPN

内部编号

277-2SC4081RT1G

生产厂商

ON Semiconductor

onsemi

#1

数量:91500
1+¥0.3082
25+¥0.2311
100+¥0.2311
500+¥0.2311
1000+¥0.2311
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#2

数量:91500
1+¥0.3082
25+¥0.2311
100+¥0.2311
500+¥0.2311
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2SC4081RT1G产品详细规格

规格书 2SC4081RT1G datasheet 规格书
2SC4081RT1
文档 Multiple Devices 02/Jan/2007
Rohs Lead free / RoHS Compliant
产品更改通知 Product Discontinuation 02/Jan/2007
标准包装 3,000
晶体管类型 NPN
- 集电极电流(Ic)(最大) 100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 50V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 500mV @ 10mA, 100mA
电流 - 集电极截止(最大) 100nA
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 180 @ 2mA, 6V
功率 - 最大 200mW
频率转换 -
安装类型 Surface Mount
包/盒 SC-70, SOT-323
供应商器件封装 SC-70-3 (SOT323)
包装材料 Tape & Reel (TR)
集电极最大直流电流 0.1
最小直流电流增益 180@2mA@6V
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 SOT-323
最低工作温度 -55
最大功率耗散 200
最大基地发射极电压 7
封装 Tape and Reel
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 60
供应商封装形式 SC-70
最大集电极发射极电压 60
类型 NPN
引脚数 3
铅形状 Gull-wing
电流 - 集电极( Ic)(最大) 100mA
晶体管类型 NPN
安装类型 Surface Mount
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 500mV @ 10mA, 100mA
电流 - 集电极截止(最大) 100nA
标准包装 3,000
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 50V
供应商设备封装 SC-70-3 (SOT323)
功率 - 最大 200mW
封装/外壳 SC-70, SOT-323
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 180 @ 2mA, 6V
其他名称 2SC4081RT1GOS
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

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