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| 规格书 |
 2SB1216/2SD1816 |
| 标准包装 | 500 |
| 晶体管类型 | PNP |
| 集电极电流（Ic）（最大） | 4A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 100V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 500mV @ 200mA, 2A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | - |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 200 @ 500mA, 5V |
| 功率 - 最大 | 1W |
| 频率转换 | 130MHz |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB |
| 供应商器件封装 | TP |
| 包装材料 | Bulk |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 4A |
| 晶体管类型 | PNP |
| 安装类型 | Through Hole |
| 频率 - 转换 | 130MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 500mV @ 200mA, 2A |
| 标准包装 | 500 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 100V |
| 供应商设备封装 | TP |
| 封装 | Bulk |
| 功率 - 最大 | 1W |
| 封装/外壳 | TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 200 @ 500mA, 5V |
| 晶体管极性 | NPN/PNP |
| 发射极 - 基极电压VEBO | - 6 V |
| 最大功率耗散 | 1 W |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 70 mA |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 100 V |
| 安装风格 | Through Hole |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 连续集电极电流 | 4 A |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 系列 | 2SB1216 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| Pd - Power Dissipation | 1 W |
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