2N6045

产品描述

Transistors Darlington 8A 100V Bipolar

内部编号

生产厂商

数量:366

最小起订金额:￥￦600
新加坡
当天发货，5-8个工作日送达.

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规格书	2N6040(42,43,45)
文档	Multiple Devices 19/Jun/2009
Rohs	Contains lead / RoHS non-compliant
产品更改通知	Product Obsolescence 19/Jun/2009
标准包装	50
晶体管类型	NPN - Darlington
- 集电极电流（Ic）（最大）	8A
电压 - 集电极发射极击穿（最大）	100V
Vce饱和（最大）@ IB，IC	2V @ 12mA, 3A
电流 - 集电极截止（最大）	20µA
直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE	1000 @ 3A, 4V
功率 - 最大	75W
频率转换	-
安装类型	Through Hole
包/盒	TO-220-3
供应商器件封装	TO-220AB
包装材料	Tube
最大的基射极饱和电压	4.5@80mA@8A
标准包装名称	TO-220
最小直流电流增益	100@8A@4V\|1000@3A@4V
最高工作温度	150
最大集电极发射极电压	100
最大基地发射极电压	5
封装	Rail
Maximum Continuous DC Collector Current	8
最大集电极发射极饱和电压	2@12mA@4A\|4@80mA@8A
每个芯片的元件数	1
最大集电极基极电压	100
供应商封装形式	TO-220AB
最低工作温度	-65
铅形状	Through Hole
类型	NPN
引脚数	3
最大功率耗散	75000
电流 - 集电极（ Ic）（最大）	8A
晶体管类型	NPN - Darlington
安装类型	Through Hole
下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件	2V @ 12mA, 3A
电流 - 集电极截止（最大）	20µA
标准包装	50
电压 - 集电极发射极击穿（最大）	100V
供应商设备封装	TO-220AB
功率 - 最大	75W
封装/外壳	TO-220-3
直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时	1000 @ 3A, 4V
其他名称	2N6045OS
RoHS指令	Contains lead / RoHS non-compliant

型号	厂家	产品描述
2N6045 LEADFREE	Central Semiconductor	Transistors Darlington NPN Darl SW
2N6045G	on semiconductor	Trans Darlington NPN 100V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

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