图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
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| Status | Obsolete |
| 最大的基射极饱和电压 | 4@40mA@4A |
| 供应商封装形式 | TO-225 |
| 最小直流电流增益 | 500@0.5A@3V|750@2A@3V|100@4A@3V |
| 最高工作温度 | 150 |
| 最大集电极发射极电压 | 60 |
| 最大基地发射极电压 | 5 |
| 封装 | Box |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 2@8mA@2A|3@40mA@4A |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 60 |
| Maximum Continuous DC Collector Current | 4 |
| 最低工作温度 | -65 |
| 铅形状 | Through Hole |
| 类型 | PNP |
| 引脚数 | 3 |
| 最大功率耗散 | 40000 |
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