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图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 2N5460, 61, 62 |
| 文档 |
Multiple Devices 03/Apr/2007 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 产品更改通知 | Product Discontinuation 03/Apr/2007 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电流 - 漏（IDSS），VDS（VGS = 0） | 1mA @ 15V |
| 漏极至源极电压（VDSS） | - |
| 漏电流（ID） - 最大 | - |
| FET 型 | P-Channel |
| - 击穿电压（V（BR）的GSS） | 40V |
| - 截止电压（VGS的关闭）@ ID | 750mV @ 1µA |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 7pF @ 15V |
| 电阻 - RDS（ON） | - |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包装材料 | Bulk |
| 包/盒 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 功率 - 最大 | 350mW |
| 供应商封装形式 | TO-92 |
| 最大门源电压 | 40 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 135 |
| 标准包装名称 | TO-92 |
| 渠道类型 | P |
| 封装 | Box |
| 最大功率耗散 | 350 |
| 最大漏极栅极电压 | 40 |
| 最低工作温度 | -65 |
| 配置 | Single |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Through Hole |
| 电压 - 击穿（ V（BR ） GSS ） | 40V |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 漏极（Idss ） @ VDS （ VGS = 0 ） | 1mA @ 15V |
| 供应商设备封装 | TO-92-3 |
| 电压 - 切断（VGS关）@ Id | 750mV @ 1µA |
| 其他名称 | 2N5460GOS |
| FET型 | P-Channel |
| 功率 - 最大 | 350mW |
| 标准包装 | 1,000 |
| 封装/外壳 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 7pF @ 15V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 7pF @ 15V |
| FET 类型 | P-Channel |
| 电压 - 击穿 (V(BR)GSS) | 40V |
| 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） | 750mV @ 1µA |
| 封装/外壳 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| 功率 - 最大值 | 350mW |
| 不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss) | 1mA @ 15V |
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