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厂商型号

MT8VDDT6464HY-335F3 

产品描述

DRAM Module DDR SDRAM 512Mbyte 200SODIMM Tray

内部编号

259-MT8VDDT6464HY-335F3

生产厂商

Micron Technology

micron

#1

数量:16
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MT8VDDT6464HY-335F3产品详细规格

规格书 MT8VDDT6464HY-335F3 datasheet 规格书
MT8VDDTyy64H
文档 DDR Die T37Z to T67A 12/Aug/2011
安装 Socket
模块类型 200SODIMM
子类别 DDR SDRAM
主要类别 DRAM Module
包装宽度 3.8(Max)
组织 64Mx64
PCB 200
筛选等级 Commercial
典型工作电源电压 2.5
总密度 512Mbyte
最低工作温度 0
供应商封装形式 SODIMM
标准包装名称 DIMM
最高工作温度 70
最大时钟频率 333
数据总线宽度 64
每个模块的芯片数量 8
欧盟RoHS指令 Compliant
芯片密度 512M
包装长度 67.75(Max)
最低工作电源电压 2.3
引脚数 200
最大工作电流 1400
包装高度 31.9(Max)
封装 Tray
最大工作电源电压 2.7
铅形状 No Lead
单位包 0
最小起订量 1
内存类型 DDR SDRAM
存储容量 512MB
标准包装 100
速度 333MT/s
封装/外壳 200-SODIMM
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工作温度范围 0C to 70C
工作电流 1400 mA
工作温度(最大) 70C
工作温度(最小值) 0C
元件数 8
设备核心尺寸 64 b
工作温度分类 Commercial
最大时钟频率 333 MHz
模块类型 200SODIMM
芯片密度 536870912 b
弧度硬化 No
工作电源电压(典型值) 2.5 V
工作电源电压(最小值) 2.3 V
工作电源电压(最大值) 2.7 V
包装类型 SODIMM
删除 Compliant

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