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厂商型号

MT48H8M32LFB5-75:H TR 

产品描述

DRAM Chip Mobile SDRAM 256M-Bit 8Mx32 1.8V 90-Pin VFBGA T/R

内部编号

259-MT48H8M32LFB5-75-H-TR

生产厂商

micron

MICRON

订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

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MT48H8M32LFB5-75:H TR产品详细规格

规格书 MT48H8M32LFB5-75:H TR datasheet 规格书
MT48H8M32LFB5-75:H TR datasheet 规格书
MT48H(16,8)M(16,32)LF
文档 Y36N, T36N Family 01/May/2013
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 1,000
格式 - 记忆 RAM
Memory 型 Mobile SDRAM
内存大小 256M (8Mx32)
速度 133MHz
接口 Parallel (Byte-wide)
- 电源电压 1.7 V ~ 1.95 V
操作温度 0°C ~ 70°C
包/盒 90-VFBGA
供应商器件封装 90-VFBGA (8x13)
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 90VFBGA
类型 Mobile SDRAM
密度 256 Mb
地址总线宽度 14 Bit
工作电源电压 1.8 V
最大时钟频率 133 MHz
最大随机存取时间 8|6 ns
工作温度 0 to 70 °C
标准包装 Tape & Reel
安装 Surface Mount
包装宽度 8
组织 8Mx32
PCB 90
筛选等级 Commercial
地址总线宽度 14
典型工作电源电压 1.8
欧盟RoHS指令 Compliant
密度 256M
内部银行的数量 4
最低工作温度 0
供应商封装形式 VFBGA
标准包装名称 BGA
最高工作温度 70
最大时钟频率 133
数据总线宽度 32
包装长度 13
最低工作电源电压 1.7
引脚数 90
最大工作电流 100
包装高度 0.65
最大随机存取时间 8|6
封装 Tape and Reel
每行字数 2M
最大工作电源电压 1.95
铅形状 Ball
单位包 0
最小起订量 1
格式 - 存储器 RAM
供应商设备封装 90-VFBGA (8x13)
内存类型 Mobile LPSDR SDRAM
存储容量 256M (8M x 32)
电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V
封装/外壳 90-VFBGA
接口 Parallel
速度 133MHz
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

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