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厂商型号

MT46V64M8FN-5B:D TR 

产品描述

DRAM Chip DDR SDRAM 512M-Bit 64Mx8 2.6V 60-Pin FBGA T/R

内部编号

259-MT46V64M8FN-5B-D-TR

生产厂商

Micron Technology

MICRON

#1

期货
1000 ¥76.012

订购说明

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MT46V64M8FN-5B:D TR产品详细规格

规格书 MT46V64M8FN-5B:D TR datasheet 规格书
512Mb: x4, x8, x16 DDR SDRAM
文档 DDR Die T37Z to T67A 12/Aug/2011
Rohs Contains lead / RoHS non-compliant
标准包装 1,000
格式 - 记忆 RAM
Memory 型 DDR SDRAM
内存大小 512M (64M x 8)
速度 5ns
接口 Parallel (Byte-wide)
- 电源电压 2.5 V ~ 2.7 V
操作温度 0°C ~ 70°C
包/盒 60-TFBGA
供应商器件封装 60-FBGA (10x12.5)
包装材料 Tape & Reel (TR)
安装 Surface Mount
包装宽度 10
组织 64Mx8
PCB 60
筛选等级 Commercial
地址总线宽度 15
类型 DDR SDRAM
典型工作电源电压 2.6
密度 512M
内部银行的数量 4
最低工作温度 0
供应商封装形式 FBGA
标准包装名称 BGA
最高工作温度 70
最大时钟频率 400
数据总线宽度 8
包装长度 12.5
最低工作电源电压 2.5
引脚数 60
最大工作电流 195
包装高度 0.85
最大随机存取时间 0.7
封装 Tape and Reel
每行字数 16M
最大工作电源电压 2.7
铅形状 Ball
单位包 0
最小起订量 1
格式 - 存储器 RAM
标准包装 1,000
供应商设备封装 60-FBGA (10x12.5)
内存类型 DDR SDRAM
工作温度 0°C ~ 70°C
存储容量 512M (64M x 8)
电压 - 电源 2.5 V ~ 2.7 V
封装/外壳 60-TFBGA
接口 Parallel
速度 5ns
其他名称 557-1035-2
RoHS指令 Contains lead / RoHS non-compliant

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