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厂商型号

M29W800DB70ZE6F 

产品描述

NOR Flash Parallel 3V/3.3V 8Mbit 1M/512K x 8bit/16bit 70ns 48-Pin TFBGA T/R

内部编号

259-M29W800DB70ZE6F

生产厂商

micron

micron

#1

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新加坡
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M29W800DB70ZE6F产品详细规格

规格书 M29W800DB70ZE6F datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 2,500
格式 - 记忆 FLASH
Memory 型 FLASH - Nor
内存大小 8M (1M x 8, 512K x 16)
速度 70ns
接口 Parallel (Byte-wide)
- 电源电压 2.7 V ~ 3.6 V
操作温度 -40°C ~ 85°C
包/盒 48-TFBGA
供应商器件封装 48-TFBGA (6x8)
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 48TFBGA
电池类型 NOR
密度 8 Mb
建筑 Sectored
块组织 Asymmetrical
位置引导块 Bottom
典型工作电源电压 3|3.3 V
扇区大小 8Kbyte x 2|16Kbyte x 1|32Kbyte x 1|64Kbyte x 15
支持通用闪存接口 Yes
定时类型 Asynchronous
工作温度 -40 to 85 °C
地址总线宽度 20/19 Bit
接口类型 Parallel
标准包装 Tape & Reel
安装 Surface Mount
包装宽度 6
包装长度 8
PCB 48
地址总线宽度 20/19
密度 8M
典型工作电源电压 3|3.3
欧盟RoHS指令 Compliant
字数 1M/512K
最低工作温度 -40
供应商封装形式 TFBGA
标准包装名称 BGA
最高工作温度 85
编程电压 2.7 to 3.6
每字位数 8/16
引导块 Yes
最低工作电源电压 2.7
引脚数 48
最大工作电流 10
包装高度 0.9(Max)
最大随机存取时间 70
封装 Tape and Reel
最大工作电源电压 3.6
铅形状 Ball
格式 - 存储器 FLASH
供应商设备封装 48-TFBGA (6x8)
内存类型 FLASH - NOR
存储容量 8M (1M x 8, 512K x 16)
电压 - 电源 2.7 V ~ 3.6 V
封装/外壳 48-TFBGA
接口 Parallel
速度 70ns
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

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