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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

TIP31B-BP 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT 3A 80V

内部编号

254-TIP31B-BP

#1

数量:1944
1+¥4.4005
10+¥3.8487
25+¥3.4115
100+¥2.9707
250+¥2.5853
500+¥2.2003
1000+¥1.7602
2500+¥1.5952
5000+¥1.4852
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TIP31B-BP产品详细规格

规格书 TIP31B-BP datasheet 规格书
TIP31(A,B,C)
TIP31B-BP datasheet 规格书
文档 TO-220(AB) Side 1
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 1,000
晶体管类型 NPN
- 集电极电流(Ic)(最大) 3A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 80V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 1.2V @ 375mA, 3A
电流 - 集电极截止(最大) 300µA
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 10 @ 3A, 4V
功率 - 最大 2W
频率转换 3MHz
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-220-3
供应商器件封装 TO-220AB
包装材料 Tube
集电极最大直流电流 3
安装 Through Hole
Maximum Transition Frequency 3(Min)
包装宽度 4.82(Max)
PCB 3
最大功率耗散 2000
类型 NPN
欧盟RoHS指令 Compliant
引脚数 3
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 80
最低工作温度 -65
供应商封装形式 TO-220AB
标准包装名称 TO-220
最高工作温度 150
包装长度 10.67(Max)
最大集电极发射极电压 80
最小直流电流增益 25@1A@4V|10@3A@4V
包装高度 9.02(Max)
最大基地发射极电压 5
封装 Bulk
标签 Tab
铅形状 Through Hole
电流 - 集电极( Ic)(最大) 3A
晶体管类型 NPN
安装类型 Through Hole
频率 - 转换 3MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 1.2V @ 375mA, 3A
电流 - 集电极截止(最大) 300µA
标准包装 1,000
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 80V
供应商设备封装 TO-220AB
功率 - 最大 2W
封装/外壳 TO-220-3
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 10 @ 3A, 4V
其他名称 TIP31BBP
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 1000
增益带宽产品fT 3 MHz
产品种类 Transistors Bipolar - BJT
晶体管极性 NPN
发射极 - 基极电压VEBO 5 V
最大功率耗散 2000 mW
系列 TIP31B
直流集电极/增益hfe最小值 25
集电极最大直流电流 3 A
集电极 - 发射极最大电压VCEO 80 V
安装风格 Through Hole
集电极 - 基极电压VCBO 80 V
最低工作温度 - 65 C
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
RoHS RoHS Compliant
身高 9.02 mm (Max)
宽度 4.82 mm (Max)
长度 10.67 mm (Max)
Pd - Power Dissipation 2000 mW
品牌 Micro Commercial Components (MCC)

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