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规格书 |
SG2000 |
标准包装 | 1 |
晶体管类型 | 7 NPN Darlington |
集电极电流(Ic)(最大) | 500mA |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 50V |
Vce饱和(最大)@ IB,IC | 1.6V @ 500µA, 350mA |
电流 - 集电极截止(最大) | - |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE | 1000 @ 350mA, 2V |
功率 - 最大 | - |
频率转换 | - |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | 16-CDIP (0.300", 7.62mm) |
供应商器件封装 | 16-CDIP |
包装材料 | Tube |
动态目录 | NPN Transistor Arrays###/catalog/en/partgroup/npn-transistor-arrays/33372?mpart=SG2003J-JAN&vendor=1259&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称; |
电流 - 集电极( Ic)(最大) | 500mA |
晶体管类型 | 7 NPN Darlington |
安装类型 | Through Hole |
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 | 1.6V @ 500µA, 350mA |
标准包装 | 1 |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 50V |
供应商设备封装 | 16-CDIP |
封装 | Tube |
封装/外壳 | 16-CDIP (0.300", 7.62mm) |
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 | 1000 @ 350mA, 2V |
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