JANTXV1N6158AUS

产品描述

Diode TVS Single Bi-Dir 35.8V 1.5KW 2-Pin G-MELF

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规格书
XPackage	2MELF
包装	2G-MELF
配置	Single
方向类型	Bi-Directional
峰值脉冲功率耗散	1500 W
最大峰值脉冲电流	23.2 A
最大反向漏泄电流	5 uA
最大钳位电压	64.6 V
最大反向防区外电压	35.8 V
最小击穿电压	44.7 V
测试电流	25 mA
工作温度	-55 to 175 °C
安装	Surface Mount
标准包装	Trays
最大钳位电压	64.6
Maximum Reverse Stand-Off Voltage	35.8
包装宽度	5.13(Max)
PCB	2
筛选等级	Military
欧盟RoHS指令	Not Compliant
每个芯片的元件数	1
最低工作温度	-55
峰值脉冲功率耗散	1500
供应商封装形式	G-MELF
标准包装名称	G-MELF
最高工作温度	175
最大反向漏泄电流	5
最大峰值脉冲电流	23.2
包装长度	6.22(Max)
工作结温度	-55 to 175
测试电流	25
引脚数	2
包装高度	5.13(Max)
最小击穿电压	44.7
工厂包装数量	100
品牌	Microsemi
RoHS	No

型号	厂家	产品描述
JANTXV1N6158	Semtech	Diode TVS Single Bi-Dir 35.8V 1.5KW 2-Pin
JANTXV1N6158A	microsemi	Diode TVS Single Bi-Dir 35.8V 1.5KW 2-Pin Case G
JANTXV1N6158US	microsemi	Diode TVS Single Bi-Dir 35.8V 1.5KW 2-Pin G-MELF
JANTXV1N6158US	Semtech	Diode TVS Single Bi-Dir 35.8V 1.5KW 2-Pin SMD
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