图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
1N4954-4996, 1N5968,69, 1N6632-6637 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压 - 齐纳（NOM）（VZ） | 51V |
| 电压 - 正向（Vf）（最大）@ | 1.5V @ 1A |
| 电流 - 反向漏VR | 2µA @ 38.8V |
| 公差 | ±5% |
| 功率 - 最大 | 5W |
| 阻抗（最大）（ZZT） | 27 Ohm |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | E, Axial |
| 供应商器件封装 | - |
| 包装材料 | Bulk |
| 操作温度 | -65°C ~ 175°C |
| 动态目录 | Glass Zener Diodes - Military, MIL-PRF###/catalog/en/partgroup/glass-zener-diodes-military-mil-prf/31843?mpart=JANTX1N4975&vendor=1086&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称； |
| 供应商封装形式 | Case E |
| 标准包装名称 | Case E |
| 类型 | Voltage Regulator |
| 标称齐纳电压 | 51 |
| 最高工作温度 | 175 |
| 最大齐纳阻抗 | 27 |
| 最大反向漏泄电流 | 2 |
| ESD保护 | No |
| 最大调节器电流 | 92 |
| 齐纳电压容差 | 5% |
| 欧盟RoHS指令 | Not Compliant |
| 最大功率耗散 | 5000 |
| 最大电压调节 | 4000 |
| 筛选等级 | Military |
| 最低工作温度 | -65 |
| 配置 | Single |
| 测试电流 | 25 |
| 引脚数 | 2 |
| 铅形状 | Through Hole |
| 电流 - Vr时反向漏电 | 2µA @ 38.8V |
| 电压 - 齐纳（额定值）（Vz ） | 51V |
| 电压 - 正向（Vf） （最大） | 1.5V @ 1A |
| 标准包装 | 1 |
| 封装 | Bulk |
| 工作温度 | -65°C ~ 175°C |
| 功率 - 最大 | 5W |
| 阻抗（最大值）（Zzt ） | 27 Ohm |
| 安装类型 | Through Hole |
| 容差 | ±5% |
| 其他名称 | 1086-1032 |
| 封装/外壳 | E, Axial |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 安装 | Through Hole |
| 工作温度范围 | -65C to 175C |
| 包装类型 | Case E |
| 冯页次 | 0.002 mA |
| 工作温度分类 | Military |
| 弧度硬化 | Yes |
| 拐点阻抗 | 27Ohm |
| 功率耗散 | 5000mW |
| 齐纳电压（典型值） | 51V |
| 电压容差 | 5% |
| 齐纳测试电流 | 25mA |
| 删除 | Not Compliant |
| 齐纳电压 | 51V |
| 工厂包装数量 | 100 |
| 产品 | Zener Diode |
| Zz - Zener Impedance | 27 Ohms |
| 齐纳电流 | 2 uA |
| 直径 | 3.42 mm |
| Ir - Reverse Current | 2 uA |
| 品牌 | Microsemi |
| 封装/外壳 | E-Package |
| 电压温度系数 | 0.095 %/C |
| 安装风格 | Through Hole |
| 长度 | 6.1 mm |
| Vf - Forward Voltage | 1.5 V at 1 A |
| 最低工作温度 | - 65 C |
| Pd - Power Dissipation | 5 W |
| 最高工作温度 | + 175 C |
| RoHS | No |
| Vz - Zener Voltage | 51 V |
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