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厂商型号

JAN2N6849 

产品描述

MOSFET P-CH TO-205AF TO-39

内部编号

253-JAN2N6849

#1

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JAN2N6849产品详细规格

规格书 JAN2N6849 datasheet 规格书
2N6849
FET特点 Standard
封装 Bulk
安装类型 Through Hole
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 6.5A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 4V @ 250µA
封装/外壳 TO-205AF
供应商设备封装 TO-39
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 300 mOhm @ 4.1A, 10V
FET型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 800mW
标准包装 1
漏极至源极电压(Vdss) 100V
闸电荷(Qg ) @ VGS 6.8nC @ 10V

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