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厂商型号

APTM50HM75STG 

产品描述

Trans MOSFET N-CH 500V 46A 20-Pin Case SP4

内部编号

253-APTM50HM75STG

生产厂商

microsemi

microsemi

#1

数量:69
1+¥787.0698
10+¥737.8814
25+¥703.4454
100+¥664.0912
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APTM50HM75STG产品详细规格

规格书 APTM50HM75STG datasheet 规格书
APTM50HM75STG datasheet 规格书
APTM50HM75STG
Power Products Catalog
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 1
FET 型 4 N-Channel (H-Bridge)
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 500V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 46A
Rds(最大)@ ID,VGS 90 mOhm @ 23A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 5V @ 2.5mA
栅极电荷(Qg)@ VGS 123nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 5600pF @ 25V
功率 - 最大 357W
安装类型 Chassis Mount
包/盒 SP4
供应商器件封装 SP4
包装材料 Bulk
包装 20Case SP4
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 500 V
最大连续漏极电流 46 A
RDS -于 90@10V mOhm
最大门源电压 ±30 V
典型导通延迟时间 18 ns
典型上升时间 35 ns
典型关闭延迟时间 87 ns
典型下降时间 77 ns
工作温度 -40 to 150 °C
安装 Screw
标准包装 Bulk
最大门源电压 ±30
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
最低工作温度 -40
包装高度 17.2
最大功率耗散 357000
渠道类型 N
最大漏源电阻 90@10V
最大漏源电压 500
每个芯片的元件数 4
包装宽度 40.4
供应商封装形式 Case SP-4
包装长度 93
PCB 20
最大连续漏极电流 46
引脚数 20
铅形状 Screw
FET特点 Standard
封装 Bulk
安装类型 Chassis Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 46A
的Vgs(th ) (最大)@ Id 5V @ 2.5mA
供应商设备封装 SP4
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 90 mOhm @ 23A, 10V
FET型 4 N-Channel (H-Bridge)
功率 - 最大 357W
漏极至源极电压(Vdss) 500V
输入电容(Ciss ) @ VDS 5600pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS 123nC @ 10V
封装/外壳 SP4
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
品牌 Microsemi
RoHS RoHS Compliant

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