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规格书 |
![]() ![]() APTM50HM75STG Power Products Catalog |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 1 |
FET 型 | 4 N-Channel (H-Bridge) |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 500V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 46A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 90 mOhm @ 23A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 5V @ 2.5mA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 123nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 5600pF @ 25V |
功率 - 最大 | 357W |
安装类型 | Chassis Mount |
包/盒 | SP4 |
供应商器件封装 | SP4 |
包装材料 | Bulk |
包装 | 20Case SP4 |
通道模式 | Enhancement |
最大漏源电压 | 500 V |
最大连续漏极电流 | 46 A |
RDS -于 | 90@10V mOhm |
最大门源电压 | ±30 V |
典型导通延迟时间 | 18 ns |
典型上升时间 | 35 ns |
典型关闭延迟时间 | 87 ns |
典型下降时间 | 77 ns |
工作温度 | -40 to 150 °C |
安装 | Screw |
标准包装 | Bulk |
最大门源电压 | ±30 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 150 |
最低工作温度 | -40 |
包装高度 | 17.2 |
最大功率耗散 | 357000 |
渠道类型 | N |
最大漏源电阻 | 90@10V |
最大漏源电压 | 500 |
每个芯片的元件数 | 4 |
包装宽度 | 40.4 |
供应商封装形式 | Case SP-4 |
包装长度 | 93 |
PCB | 20 |
最大连续漏极电流 | 46 |
引脚数 | 20 |
铅形状 | Screw |
FET特点 | Standard |
封装 | Bulk |
安装类型 | Chassis Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 46A |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 5V @ 2.5mA |
供应商设备封装 | SP4 |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 90 mOhm @ 23A, 10V |
FET型 | 4 N-Channel (H-Bridge) |
功率 - 最大 | 357W |
漏极至源极电压(Vdss) | 500V |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 5600pF @ 25V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 123nC @ 10V |
封装/外壳 | SP4 |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
品牌 | Microsemi |
RoHS | RoHS Compliant |
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