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厂商型号

APTM20DHM10G 

产品描述

MOSFET MOD ASSYMMETRIC BRDG SP6

内部编号

253-APTM20DHM10G

#1

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APTM20DHM10G产品详细规格

规格书 APTM20DHM10G datasheet 规格书
Power Products Catalog
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 1
FET 型 2 N-Channel (Asymmetrical Bridge)
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 200V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 175A
Rds(最大)@ ID,VGS 12 mOhm @ 87.5A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 5V @ 5mA
栅极电荷(Qg)@ VGS 224nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 13700pF @ 25V
功率 - 最大 694W
安装类型 Chassis Mount
包/盒 SP6
供应商器件封装 SP6
包装材料 Bulk
FET特点 Standard
封装 Bulk
安装类型 Chassis Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 175A
的Vgs(th ) (最大)@ Id 5V @ 5mA
供应商设备封装 SP6
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 12 mOhm @ 87.5A, 10V
FET型 2 N-Channel (Asymmetrical Bridge)
功率 - 最大 694W
标准包装 1
漏极至源极电压(Vdss) 200V
输入电容(Ciss ) @ VDS 13700pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS 224nC @ 10V
封装/外壳 SP6

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