图片仅供参考,产品以实物为准
#1 |
数量:10 |
|
最小起订量:1 美国费城 当天发货，5-8个工作日送达. |
|
| 规格书 |
 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 1 |
| IGBT 型 | Trench and Field Stop |
| 配置 | Full Bridge Inverter |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 600V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 50A |
| - 集电极电流（Ic）（最大） | 80A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 250µA |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 3.15nF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 176W |
| 输入 | Single Phase Bridge Rectifier |
| NTC Thermistor | Yes |
| 安装类型 | * |
| 包/盒 | * |
| 供应商器件封装 | * |
| 包装 | 32Case SP-3 |
| 配置 | Quad |
| 引脚数 | 32 |
| 最大集电极发射极电压 | 600 V |
| 最大连续集电极电流 | 80 A |
| 最大栅极发射极电压 | ±20 V |
| 安装 | Screw |
| 标准包装 | Bulk |
| 输入电容（Cies ） @ Vce时 | 3.15nF @ 25V |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 80A |
| IGBT类型 | Trench and Field Stop |
| 安装类型 | Chassis Mount |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 250µA |
| Vce（开） （最大值） Vge，Ic时 | 1.9V @ 15V, 50A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 600V |
| 供应商设备封装 | SP3 |
| 功率 - 最大 | 176W |
| 封装/外壳 | SP3 |
| 输入 | Single Phase Bridge Rectifier |
| NTC热敏电阻 | Yes |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 栅极 - 射极漏泄电流 | 600 nA |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 1.5 V |
| 品牌 | Microsemi |
| Pd - Power Dissipation | 176 W |
| 连续集电极电流在25 C | 80 A |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 600 V |
| 产品 | IGBT Silicon Modules |
| 安装风格 | Screw |
| 最低工作温度 | - 40 C |
| 最高工作温度 | + 100 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
APTGT50H60RT3G也可以通过以下分类找到
APTGT50H60RT3G相关搜索
咨询QQ
综合类：
热线电话
智能AI技术专家