图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 1 |
| IGBT 型 | Trench and Field Stop |
| 配置 | Single |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 1200V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 400A |
| - 集电极电流（Ic）（最大） | 560A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 750µA |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 28nF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 1785W |
| 输入 | Standard |
| NTC Thermistor | No |
| 安装类型 | Chassis Mount |
| 包/盒 | SP6 |
| 供应商器件封装 | SP6 |
| 包装 | 5Case SP6 |
| 配置 | Single |
| 引脚数 | 5 |
| 最大集电极发射极电压 | 1200 V |
| 最大连续集电极电流 | 560 A |
| 最大栅极发射极电压 | ±20 V |
| 安装 | Screw |
| 标准包装 | Bulk |
| 输入电容（Cies ） @ Vce时 | 28nF @ 25V |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 560A |
| IGBT类型 | Trench and Field Stop |
| 安装类型 | Chassis Mount |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 750µA |
| Vce（开） （最大值） Vge，Ic时 | 2.1V @ 15V, 400A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 1200V |
| 供应商设备封装 | SP6 |
| 功率 - 最大 | 1785W |
| 封装/外壳 | SP6 |
| 输入 | Standard |
| NTC热敏电阻 | No |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 栅极 - 射极漏泄电流 | 800 nA |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 1.7 V |
| 品牌 | Microsemi |
| Pd - Power Dissipation | 1.785 kW |
| 产品 | IGBT Silicon Modules |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 1.2 kV |
| 安装风格 | Screw |
| 最低工作温度 | - 40 C |
| 连续集电极电流在25 C | 560 A |
| 最高工作温度 | + 100 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
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