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厂商型号

APTGT100DH120TG 

产品描述

Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 140A 20-Pin Case SP4

内部编号

253-APTGT100DH120TG

生产厂商

microsemi

MICROSEMI

订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

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全场免运费 /报价不含任何销售税

APTGT100DH120TG产品详细规格

规格书 APTGT100DH120TG datasheet 规格书
APTGT100DH120TG datasheet 规格书
Power Products Catalog
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 1
IGBT 型 Trench and Field Stop
配置 Asymmetrical Bridge
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 1200V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 100A
- 集电极电流(Ic)(最大) 140A
电流 - 集电极截止(最大) 250µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce 7.2nF @ 25V
功率 - 最大 480W
输入 Standard
NTC Thermistor Yes
安装类型 Chassis Mount
包/盒 SP4
供应商器件封装 SP4
包装 20Case SP4
配置 Dual
引脚数 20
最大集电极发射极电压 1200 V
最大连续集电极电流 140 A
最大栅极发射极电压 ±20 V
安装 Screw
标准包装 Bulk
输入电容(Cies ) @ Vce时 7.2nF @ 25V
电流 - 集电极( Ic)(最大) 140A
IGBT类型 Trench and Field Stop
安装类型 Chassis Mount
电流 - 集电极截止(最大) 250µA
Vce(开) (最大值) Vge,Ic时 2.1V @ 15V, 100A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 1200V
供应商设备封装 SP4
功率 - 最大 480W
封装/外壳 SP4
输入 Standard
NTC热敏电阻 Yes
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
栅极 - 射极漏泄电流 400 nA
集电极 - 发射极饱和电压 1.7 V
品牌 Microsemi
连续集电极电流在25 C 140 A
产品 IGBT Silicon Modules
集电极 - 发射极最大电压VCEO 1.2 kV
安装风格 Screw
最低工作温度 - 40 C
Pd - Power Dissipation 480 W
最高工作温度 + 100 C
RoHS RoHS Compliant

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