图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

APTGF50VDA60T3G 

产品描述

Trans IGBT Module N-CH 600V 65A 20-Pin

内部编号

253-APTGF50VDA60T3G

生产厂商

microsemi

Microsemi Power Products Group

#1

数量:10
1+¥348.397
10+¥325.795
50+¥301.312
100+¥282.48
250+¥263.648
500+¥250.466
1000+¥241.05
2500+¥233.517
最小起订量:1
美国费城
当天发货,5-8个工作日送达.
立即询价

订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

APTGF50VDA60T3G产品详细规格

规格书 APTGF50VDA60T3G datasheet 规格书
APTGF50VDA60T3G
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 1
IGBT 型 NPT
配置 Dual Boost Chopper
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 600V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 50A
- 集电极电流(Ic)(最大) 65A
电流 - 集电极截止(最大) 250µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce 2.2nF @ 25V
功率 - 最大 250W
输入 Standard
NTC Thermistor Yes
安装类型 *
包/盒 *
供应商器件封装 *
配置 Dual
引脚数 20
最大集电极发射极电压 600 V
最大连续集电极电流 65 A
最大栅极发射极电压 ±20 V
安装 Through Hole
标准包装 Bulk
输入电容(Cies ) @ Vce时 2.2nF @ 25V
电流 - 集电极( Ic)(最大) 65A
IGBT类型 NPT
安装类型 Chassis Mount
电流 - 集电极截止(最大) 250µA
Vce(开) (最大值) Vge,Ic时 2.45V @ 15V, 50A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 600V
供应商设备封装 SP3
功率 - 最大 250W
封装/外壳 SP3
输入 Standard
NTC热敏电阻 Yes
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

APTGF50VDA60T3G系列产品

APTGF50VDA60T3G也可以通过以下分类找到

APTGF50VDA60T3G相关搜索

订购APTGF50VDA60T3G.产品描述:Trans IGBT Module N-CH 600V 65A 20-Pin. 生产商: microsemi.芯天下有低价

咨询QQ

综合类:

热线电话

  • 北京
  • 010-82149488
    010-82149008
    010-62155488
    010-57196138
    010-82149921
  • 深圳
  • 0755-82511472
    0755-83247615
    0755-83975736
    0755-83997440
  • 苏州
  • 0512-67683728
    0512-67687578
    0512-68796728
    0512-67684200
  • 传真
  • 010-62178897;  0755-83995470;
  • 邮件: rfq@oneic.com